武漢新芯12寸DRAM廠(chǎng) 28日動(dòng)工

　　大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠(chǎng)建廠(chǎng)動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。

　　這是繼紫光集團進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠(chǎng)之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠(chǎng)建廠(chǎng)，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠(chǎng)案，牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng)，業(yè)界高度關(guān)注 。

　　業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)競爭、供過(guò)于求的窘境。

　　武漢新芯進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，大舉建廠(chǎng)，加上紫光和合肥市政府后續也都有意在大陸蓋DRAM廠(chǎng)，反映大陸力攻記憶體的旺盛企圖心，是否會(huì )讓DRAM產(chǎn)業(yè)重蹈LED、面板、觸控的覆轍， 使市場(chǎng)陷入紅海，乃至威脅南亞科、華邦等臺灣廠(chǎng)商，都不容小覷。

　　據悉，武漢新芯稍早也曾爭取與三星、SK海力士及美光等大廠(chǎng)技術(shù)合作，但未獲三大廠(chǎng)同意，武漢新芯因而改采自主研發(fā)與蓋廠(chǎng)方式進(jìn)行。

　　DRAM 專(zhuān)業(yè)研調機構集邦科技表示，武漢新芯成立于二○○六年，是湖北省與武漢市的重大戰略投資項目，先前曾與大陸晶圓代工龍頭中芯國際一起營(yíng)運中芯旗下的一座十 二寸廠(chǎng)。隨著(zhù)中芯二○一三年退出合作，武漢新芯獨立為單一公司，由武漢市政府負責，經(jīng)營(yíng)團隊多具備國際半導體公司歷練背景

　　集邦匯整的資料顯示，武漢新芯仍持續主導從中芯手中接下的十二寸廠(chǎng)生產(chǎn)，目前主要品以編碼型快閃記憶體(NOR Flash)為主，并進(jìn)軍3D NAND晶片技術(shù)研發(fā)，未來(lái)將打造至少二座以上十二寸晶圓廠(chǎng)的中國大陸記憶體晶片制造基地。

　　武漢新芯后來(lái)并獲得大陸國家大基金支持，將籌資二百四十億美元(約新臺幣七千八百億元)，長(cháng)期建立月產(chǎn)能高達卅萬(wàn)片的十二寸廠(chǎng)，生產(chǎn)DRAM、NAND Flash等關(guān)鍵記憶體產(chǎn)品。