傳三星半導體西安廠(chǎng)第二階段增設恐延期

　　三星電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠(chǎng)進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項計劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預估，2016年將會(huì )進(jìn)入記憶體7年來(lái)最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設NAND Flash工廠(chǎng)，也使三星開(kāi)始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。

　　目前三星電子西安工廠(chǎng)只使用整體腹地(約34萬(wàn)坪)的5分之1，而且以目前的設備來(lái)說(shuō)，已經(jīng)到達最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認為，三星將在2016年內對剩余腹地進(jìn)行第二階段投資。Digital Times日前引述業(yè)界消息，指三星在西安半導體工廠(chǎng)的第二階段投資計劃恐將延期至2017年以后進(jìn)行。

　　2014年首次啟動(dòng)的西安工廠(chǎng)，是三星3D V-NAND的核心生產(chǎn)基地。相關(guān)人士表示，啟動(dòng)不到2年的西安工廠(chǎng)，如以晶圓投入基準來(lái)看，已逼近每月10萬(wàn)片水準，產(chǎn)量大大超過(guò)原本預估的6萬(wàn)~7萬(wàn)片水準。

　　三星之所以不執行第二階段投資的理由，很可能與東芝、新帝等大手筆增設NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)有關(guān)。東芝之前和新帝共同投資5,000億日圓(約43億美元)設立3D NAND Flash生產(chǎn)工廠(chǎng)，預計2017年將開(kāi)始正式啟動(dòng)。

　　另外，英特爾和美光(Micron)也投入3D NAND Flash量產(chǎn)，如果連三星也進(jìn)入西安廠(chǎng)第二階段投資，NAND Flash市場(chǎng)恐將陷入無(wú)法挽回的供給過(guò)剩競爭。

　　南韓半導體業(yè)界相關(guān)人士進(jìn)一步解釋?zhuān)匀橇?chǎng)來(lái)說(shuō)，擁有最安全量產(chǎn)結構的東芝進(jìn)入并瓜分市場(chǎng)將是最大擔憂(yōu)。雖然目前英特爾和美光尚不具有太大危脅，但也有可能蠶食大陸新一代資料中心的市場(chǎng)需求大餅。

　　2016年三星策略是對半導體設備投資減至最低程度，計劃從2017年開(kāi)始以新一代DRAM決勝。三星預估目前處于最糟市況的DRAM，可能將在下半年達到最低點(diǎn)，2017年之后開(kāi)始回升，所以在這時(shí)期預計只會(huì )啟動(dòng)平澤工廠(chǎng)第一階段計劃生產(chǎn)最頂尖DRAM。

　　至于在NAND Flash方面，將以提高3D V-NAND的世代以強化高階市場(chǎng)支配力，另外也計劃強化產(chǎn)品的價(jià)格競爭力。三星內部相關(guān)人士表示，雖然無(wú)法公布半導體設備的相關(guān)投資計劃，但是三星將視市場(chǎng)情勢變化，靈活運用各種對策因應。