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習近平考察武漢新芯:重大核心技術(shù)必須靠自己攻堅克難

  • 習近平考察武漢,強調要充分發(fā)揮人才優(yōu)勢
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大陸五大半導體廠(chǎng)擴產(chǎn) 半導體設備采購金額年增68%

  •   SEMICONTaiwan2016將于7日開(kāi)幕,受惠臺積電持續投資先進(jìn)制程,臺灣仍是蟬聯(lián)全球設備采購第一名,值得注意的是,大陸2016年大陸采購金額達44.38億美元,年增率高達68%,推測受惠聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)、中芯國際北京廠(chǎng)、英特爾(Intel)大連廠(chǎng)、三星西安廠(chǎng)、武漢新芯五大半導體廠(chǎng)擴產(chǎn)所致。   根據SEMI估計,全球半導體設備采購金額約219.96億美元,年減2%,其中臺灣2016年的設備采購金額高達55.42億美元,年增率3.9%,主要是臺積電領(lǐng)先布局先進(jìn)制程的貢獻。值得注意的是,大陸2016年
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中國第一「芯」或浮出水面

  • 近期盛傳紫光集團入股武漢新芯,雙方旗下存儲晶元項目有望合并,中國第一"芯"誕生。
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武漢新芯將并入紫光集團旗下,掌權之爭由趙偉國出線(xiàn)

  •   先前科技新報獨家揭露,統籌中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作,并有望獲得美光在 NAND Flash 的協(xié)助,現在事情再有新進(jìn)展,根據調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 說(shuō)法,紫光將于武漢成立新企業(yè),未來(lái)武漢新芯將并入旗下,據科技新報取得的消息,最終由紫光集團董事長(cháng)趙偉國將出線(xiàn)掌舵新事業(yè)。   朝 NAND Flash 發(fā)展前進(jìn)   調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 今 27 日發(fā)布消息指出,紫光集團預計于武漢成立長(cháng)江存儲科技
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紫光大陸兩大國家隊合體并武漢新芯進(jìn)軍NAND Flash

  •   外媒報導,中國IC設計龍頭紫光集團已完成武漢新芯集成電路制造有限公司(武漢新芯)超過(guò)50%的股權收購。這意味著(zhù),中國半導體的兩大「國家隊」聯(lián)手進(jìn)軍NAND Flash記憶體領(lǐng)域的計畫(huà)即將實(shí)現,紫光集團董事長(cháng)趙偉國也將擔任合并后公司的總裁。   報導稱(chēng),紫光日前投資120多億美元興建1家新的記憶體晶片廠(chǎng),以及進(jìn)行半導體業(yè)務(wù)并購,不過(guò)紫光在海外的并購屢踢鐵板。本月初,有消息傳出,紫光將聯(lián)手武漢新芯大舉進(jìn)軍NAND Flash記憶體領(lǐng)域,且可能獲得大廠(chǎng)美光(Micron)的技術(shù)授權,采取「華亞科」模式,可
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外媒:紫光集團收購武漢新芯多數股權

  •   北京時(shí)間7月26日晚間消息,《華爾街日報》今日援引知情人士的消息稱(chēng),中國建造先進(jìn)存儲芯片工廠(chǎng)的兩大主要項目已進(jìn)行了合并。此舉旨在打造實(shí)力更強的大型企業(yè),從而縮小與西方國家之間的技術(shù)差距。   據四位知情人士稱(chēng),紫光集團(Tsinghua Unigroup)已收購武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“武漢新芯”)多數股權。之前,武漢新芯曾打造規模為240億美元的存儲芯片制造中心。   今年3月28日,總投資240億美元(約1600億元人民幣)的存儲器基地項目在武漢東
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紫光拉攏武漢新芯、美光組大聯(lián)盟 三大挑戰待解

  • 清華紫光集團有意拉武漢新芯,搶進(jìn)NAND Flash市場(chǎng),采取類(lèi)似美光與臺DRAM大廠(chǎng)華亞科的合作模式,如此一來(lái),紫光也可搭上武漢新芯構建新廠(chǎng)的列車(chē),并且與美光洽談技術(shù)授權,加速紫光集團發(fā)展壯大的時(shí)間。
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紫光攜手武漢新芯 中國存儲器能否復制面板產(chǎn)業(yè)的成功?

  •   外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手,并有望獲得美光(Micron)的支持,雙方如果能夠成功整合,在資金資源、技術(shù)力量與市場(chǎng)容量方面,新企業(yè)都有巨大的想象空間,有媒體稱(chēng)“中國存儲器有望復制面板產(chǎn)業(yè)的成功,在技術(shù)更新交替的階段,彎道超車(chē)趕上國際一線(xiàn)廠(chǎng)商。”   在存儲領(lǐng)域,無(wú)論是武漢新芯還是紫光集團,都已經(jīng)布局了很長(cháng)時(shí)間。相對而言,紫光聲勢更大,武漢新芯步子更快。2015年曾傳出紫光收購美光的新聞,但是最后不了了之;此后紫光宣布入股西部數據,從而促成了西部數據收購閃迪的交易;之后紫光
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傳武漢新芯合體紫光,加速中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  •   外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手合作,不只獲得飛索半導體(Spansion)在3D NAND Flash的技術(shù)授權,更有望獲得美光(Micron)的支持。中國存儲器芯片有望復制面板產(chǎn)業(yè)的成功,在技術(shù)更新交替的階段,彎道超車(chē)趕上國際一線(xiàn)廠(chǎng)商。   3月28日,武漢新芯在武漢市東湖高新區啟動(dòng)了總投資240億美元的“光谷”存儲器基地,該基地預計2018年將實(shí)現3D NAND存儲器的首次量產(chǎn),并于2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規模,其中20萬(wàn)片3D NAND Flash和10萬(wàn)片D
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李克強總理視察武漢新芯:芯片的研發(fā)與企業(yè)的管理最難也最重要

  •   5月23日,李克強總理視察武漢新芯,參觀(guān)了公司的晶圓廠(chǎng),并和武漢新芯的管理和研發(fā)團隊親切交談。他說(shuō),在集成電路領(lǐng)域,管理和研發(fā)這兩塊最難也最重要,希望武漢新芯摸索出好的管理經(jīng)驗,制造出高性能、高質(zhì)量的自主可控的芯片。   下午6:40分左右,李克強總理到達武漢新芯,并在董事長(cháng)王繼增和執行長(cháng)楊士寧博士的陪同下,直接前往晶圓廠(chǎng)參觀(guān)。   楊士寧博士向總理匯報了武漢新芯的技術(shù)研發(fā)和業(yè)務(wù)布局情況。他介紹,武漢新芯現有業(yè)務(wù)布局物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。目前,公司45nmNORFlash(代碼型閃存)生產(chǎn)技術(shù)水平世界領(lǐng)先,
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武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND

  •   紅色供應鏈來(lái)勢洶洶,外界原本認為,陸廠(chǎng)要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地,不過(guò)有分析師預測,陸廠(chǎng)研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。   巴 倫(Barronˋs)6日報導,美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱(chēng),中國透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權。2月份,Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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老杳:目前新芯做存儲成功概率不到10%

  •   自從國家發(fā)布集成電路扶植政策,做存儲器風(fēng)起云涌。   武漢新芯要做,紫光趙偉國要做,合肥希望借助爾必達前CEO要做,廈門(mén)借助爾必達前CTO也要做,最新消息福建泉州要和聯(lián)電一起投資DRAM工廠(chǎng)。   算上三星在西安、Intel在大連的投資,猜得不錯,不出幾年,大陸會(huì )成為全球存儲器產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)。   看似風(fēng)光的表面,其實(shí)隱藏的風(fēng)險很大,因為大陸的底子實(shí)在太薄,要技術(shù)沒(méi)技術(shù),要人才沒(méi)人才,當然要錢(qián)的話(huà),有很多。   就目前形式來(lái)看,老杳相對看好兩家,新芯和紫光,紫光由于體制關(guān)系,趙偉國有更多的疼轉挪移
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2020年進(jìn)入主流方陣 武漢新芯計劃培養專(zhuān)業(yè)人才

  •   前天,武漢集成電路技術(shù)及產(chǎn)業(yè)服務(wù)中心(簡(jiǎn)稱(chēng)“武漢ICC”)成立及啟動(dòng)儀式上,武漢新芯集成電路制造有限公司董事長(cháng)王繼增接受了記者的專(zhuān)訪(fǎng)。這也是3月28日國家存儲器基地在武漢光谷正式開(kāi)工以來(lái),王繼增首次在公眾場(chǎng)合亮相,該基地計劃未來(lái)5年投資240億美元。   “記錄生活點(diǎn)點(diǎn)滴滴,不用擔心存儲器不夠用”   記者與王繼增的對話(huà),從武漢新芯的產(chǎn)品對民生的影響說(shuō)起。“利用芯片疊加技術(shù),制造多層的三維立體存儲器,將是現在乃至未來(lái)的主流產(chǎn)品。&rdqu
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著(zhù)手3D NAND研發(fā)

  •   大陸國營(yíng)企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。依韓國業(yè)界看法,武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距,但將是大陸市場(chǎng)上的潛在最大對手。   據韓聯(lián)社報導,大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃,將以武漢為基地,興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。   韓聯(lián)社引述EE Times
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武漢新芯/臺積電南京廠(chǎng)同時(shí)動(dòng)工 兩大派爭搶半導體市場(chǎng)

  • 國內發(fā)展半導體不差錢(qián)也不怕市場(chǎng)不夠,但技術(shù)和人才是繞不過(guò)去的兩個(gè)坎,現在也引起了海外投資及國內自主兩大派系的興趣。
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