三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家獨活
記憶體產(chǎn)業(yè)整合,外界本以為三大廠(chǎng)能和平共存,坐享更高獲利,沒(méi)想到三星電子趁著(zhù)對手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)轉進(jìn)20奈米不順之際,增產(chǎn)搶市占,意圖趕盡殺絕。Bernstein Research悲觀(guān)預測,三星下手太狠,DRAM恐怕只剩三星一家獨活。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201604/289576.htm巴倫(Barronˋs)網(wǎng)站兩篇報導指 出,Bernstein分析師Mark Newman表示,制程微縮難度高,美光和SK海力士都在20奈米遇到瓶頸,原先預期記憶體產(chǎn)出將因此大減,沒(méi)想到三星在一旁虎視眈眈,趁著(zhù)對手碰壁時(shí), 奪取市占。DRAM僅剩三大廠(chǎng),通常產(chǎn)業(yè)整合后,大家會(huì )較為節制,結果三星非但沒(méi)松手,還想把DRAM市占從當前的40%、提高至近50%。
三 星透過(guò)拉大技術(shù)差距,搶下市占,DRAM方面,三星增加20奈米產(chǎn)出、并將擴大量產(chǎn)18奈米。在NAND領(lǐng)域也強化了3D NAND的領(lǐng)先地位。Newman痛批,三星行為投機、比預想更為激烈,完全不顧對手,或許會(huì )永久摧毀同業(yè)間的信任感。他估計,三星可能是DRAM業(yè)的唯 一幸存者。
記憶體業(yè)者自相殘殺,等到中國廠(chǎng)商進(jìn)入市場(chǎng),情況將急轉直下。報告稱(chēng),中國可能是足以顛覆市場(chǎng)的競爭者,他們財力雄厚,等到供 給上線(xiàn)后,市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠(chǎng)商4~5年,他們打算狂燒資本加緊追趕,等到量產(chǎn)之后,市場(chǎng)供給過(guò)剩將更加惡化。
韓媒etnews、韓國時(shí)報 3月底報導,業(yè)界人士透露,三星韓國華城工廠(chǎng)生產(chǎn)的18奈米DRAM,已經(jīng)開(kāi)始出貨,將供貨給蘋(píng)果。消息人士說(shuō),兩年前三星率先量產(chǎn)20奈米DRAM,如 今三星再次領(lǐng)先業(yè)界,第一個(gè)商用化18奈米DRAM。據了解,18奈米DRAM初期產(chǎn)量不大,三星已經(jīng)增訂設備,預計夏天過(guò)后產(chǎn)量將會(huì )增加。早期供貨主要 用于PC,之后將生產(chǎn)伺服器和行動(dòng)裝置用的DRAM。
Daishin Securities研究員Kim Kyung-min說(shuō),由結果看來(lái),韓廠(chǎng)和美光科技落差極大。美光DRAM技術(shù)落后三星兩年以上,恐需憂(yōu)慮是否會(huì )立刻出現虧損。
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