三星開(kāi)始量產(chǎn)10nm級DRAM，采用ArF液浸四重曝光
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韓國三星電子2016年4月5日宣布，開(kāi)始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/201604/289567.htm
此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開(kāi)發(fā)了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無(wú)需使用EUV裝置，可利用現有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1y)工藝的開(kāi)發(fā)。
新款DRAM芯片支持3200Mbps的速度，較現有20nm級DDR4型芯片的2400Mbps提高了30%，而耗電量削減了10～20%。三星預定在不久的將來(lái)開(kāi)發(fā)采用此次的10nm級工藝的移動(dòng)DRAM。
該公司還將采用以此次的8Gbit產(chǎn)品為首的10nm級DDR4型DRAM芯片生產(chǎn)存儲器模塊(內存條)。將面向筆記本電腦推出4GB的模塊，面向企業(yè)服務(wù)器推出128GB的模塊。之前采用20nm級DRAM的DDR4型DRAM內存將在2016年內陸續換成10nm級產(chǎn)品。
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