三星DRAM連霸24年　2015年市占寫(xiě)下45%新高

　　三星電子(Samsung Electronics)連續24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導體市占率第一，為半導體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)下新歷史;2015年市占率達45.3%，營(yíng)收突破200億美元，不但刷新自身紀錄，也成為存儲器價(jià)格持續下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。

　　據韓媒Money Today報導，市調機構IHS資料顯示，2015年三星DRAM營(yíng)收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長(cháng)9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場(chǎng)規模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營(yíng)收卻逆勢成長(cháng)。

　　從整年度的市占率來(lái)看，三星占45.3%創(chuàng )下歷史新高;排名第二的SK海力士(SK Hynix)為27.7%，營(yíng)收124.89億美元，較2014年126.66億美元減少，但市占率微幅增加。第三名美光(Micron)的營(yíng)收滑落到90.70億美元，市占率也從24.6%下降到20%。

　　三星電子在1992年開(kāi)發(fā)出64Mb DRAM之后，連續24年蟬聯(lián)DRAM半導體全球市占率第一。三星能穩坐龍頭地位的關(guān)鍵，在于擁有競爭對手難以超越的技術(shù)差距，這也是半導體市場(chǎng)價(jià)格持續滑落，三星仍能維持獲利的原因。

　　三星致力于突破微細制程的瓶頸，率先進(jìn)入10納米級DRAM量產(chǎn)，欲以領(lǐng)先的技術(shù)競爭力掌握市場(chǎng)。繼成功開(kāi)發(fā)18納米DRAM之后，下一個(gè)目標是開(kāi)發(fā)10納米前段(1z)的DRAM技術(shù)。

　　業(yè)界人士表示，2015年三星采用20納米微細制程，成功銷(xiāo)售許多高附加價(jià)值產(chǎn)品。由于能生產(chǎn)競爭者做不到的高性能產(chǎn)品，即便市場(chǎng)情況不佳，這類(lèi)產(chǎn)品仍能維持一定價(jià)格，受影響程度相對較小。

　　與DRAM同屬存儲器半導體的NAND Flash市場(chǎng)情況類(lèi)似。三星借由高速、低耗電的垂直構造V NAND技術(shù)，成為2015年第4季唯一NAND Flash營(yíng)業(yè)額逆勢成長(cháng)的業(yè)者。

　　相較于競爭者才剛進(jìn)入21納米量產(chǎn)，準備提高21納米量產(chǎn)比重，主力產(chǎn)品仍停留在25~30納米階段，日前三星證實(shí)已啟動(dòng)18納米8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn)。因此業(yè)界認為，三星與對手的技術(shù)差距已經(jīng)拉開(kāi)至2年以上，在市場(chǎng)上一枝獨秀的情況可望延續至2016年。

　　三星計劃在2016年要將10納米級技術(shù)用于大部分DRAM產(chǎn)品，并且加速研發(fā)10納米中段(1y)與10納米前段(1z)的新一代DRAM技術(shù)。半導體事業(yè)負責人金奇南表示，有信心成功開(kāi)發(fā)10納米前段的DRAM技術(shù)。

　　三星在半導體市場(chǎng)占有的優(yōu)勢，對南韓的經(jīng)濟發(fā)展也有很大貢獻。2015年南韓半導體的出口規模為629.16億美元，占整體出口(5,267.57億美元)比重的11.9%。

　　雖然南韓的整體出口規模萎縮，但半導體類(lèi)別不減反增，寫(xiě)下出口規模新高，是也2001年之后，存儲器類(lèi)別占整體出口比重最高的一次。