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coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區
單片驅動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統設計
- 本文介紹最新的驅動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強最終應用的整體性能。引言隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數是功率轉換效率
- 關(guān)鍵字： ADI MOSFET 電源系統設計
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽(tīng)戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學(xué)習(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設計帶來(lái)了若干挑戰。首先，隨著(zhù)功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著(zhù)
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
豪威集團發(fā)布業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET
- 電源管理系統要實(shí)現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，專(zhuān)為手機鋰電池保護設計近幾年，手機快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng )新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問(wèn)題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開(kāi)關(guān)的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
- 關(guān)鍵字： 豪威集團 MOSFET
分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
- 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應，硬開(kāi)關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡(jiǎn)化柵極驅動(dòng)電路。為此，本文介紹了
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H
- 過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過(guò)去幾年，實(shí)際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現了動(dòng)態(tài)工作引起的長(cháng)期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經(jīng)過(guò)不斷研究和持續優(yōu)化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動(dòng)電壓的分析及探討
- 隨著(zhù)制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē)，可再生能源及儲能等應用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
- 關(guān)鍵字： 富昌電子 SiC MOSFET
東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動(dòng)IC，助力移動(dòng)電子設備小型化
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動(dòng)IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設備等移動(dòng)電子設備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過(guò)電壓鎖定功能，能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極驅動(dòng)
當SiC MOSFET遇上2L-SRC
- 導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設計都帶來(lái)了額外的挑戰。應用痛點(diǎn)氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬(wàn)轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見(jiàn)的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì )造成空壓機線(xiàn)包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 2L-SRC
SiC MOSFET驅動(dòng)電壓測試結果離譜的六大原因
- _____開(kāi)關(guān)特性是功率半導體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時(shí)直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著(zhù)提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區別是它
- 關(guān)鍵字： Tektronix SiC MOSFET
耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
- 在線(xiàn)性模式供電的電子系統中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線(xiàn)性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿(mǎn)足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 功率 MOSFET 耐用性
常見(jiàn)MOSFET失效模式的分析與解決方法
- 提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個(gè)目標，需要提高開(kāi)關(guān)頻率，從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS) 或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS) 拓撲允許采用高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)，可以 大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開(kāi) 關(guān)下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降 低功率開(kāi)關(guān)的應力，因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務(wù)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務(wù)器、5G基礎設施、平板電視機的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類(lèi)領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實(shí)現最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開(kāi)幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會(huì )，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內伙伴共話(huà)智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是電力電子、智能運動(dòng)、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應用的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專(zhuān)門(mén)為用于某一應用而設計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 自動(dòng)安全氣囊 MOSFET
安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小
- 安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會(huì )發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿(mǎn)足了對適合高功率密度設計的高性能開(kāi)關(guān)組件迅速增長(cháng)的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
- 關(guān)鍵字： 安森美 TOLL封裝 碳化硅 MOSFET
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