豪威集團發(fā)布業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET

電源管理系統要實(shí)現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開(kāi)高性能的開(kāi)關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。

WNMD2196A 超低Rss(ON)，專(zhuān)為手機鋰電池保護設計

近幾年，手機快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng )新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問(wèn)題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開(kāi)關(guān)的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能滿(mǎn)足高效、低發(fā)熱的要求。

雙N溝道增強型MOSFET，WNMD2196A具有業(yè)內同類(lèi)產(chǎn)品最低內阻，RSS(ON)低至1m?，專(zhuān)為手機鋰電池電路保護設計。WNMD2196A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設計，提供卓越的RSS(ON)的同時(shí)實(shí)現低柵極電荷。載流子遷移速度快，闕值電壓低，開(kāi)關(guān)速率高。

WNMD2196A兼顧性能與設計靈活性。該產(chǎn)品采用 CSP封裝，更緊湊，方便電池應用布板設計。同時(shí)，優(yōu)化的SOA特性，提高承受沖擊電流的能力；超低RSS(ON)，可實(shí)現更高的效率和更低的溫升，提升了產(chǎn)品的可靠性。

WNMD2196A參數

WNM6008 80V高功率MOSFET 適用太陽(yáng)能、電池供電應用

WNM6008——80V高功率MOSFET，采用最新一代Shield Gate技術(shù)，針對電信和服務(wù)器電源中使用的更高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，具備超低FOM值（開(kāi)關(guān)應用重要優(yōu)值系數）。WNM6008低開(kāi)關(guān)和導通損耗，可實(shí)現更高效率、更優(yōu)EMI性能。適用于同步整流應用，優(yōu)化了反向恢復電荷從而實(shí)現更低的尖峰電壓，提供最高水平的功率密度和能效，繼而為電源提供更高的效率和更強的可靠性。

WNM6008適用于DC-DC轉換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路?？捎行зx能太陽(yáng)能、電源和電池供電（例如電動(dòng)代步車(chē)）等應用。該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標準，采用QFN5x6標準緊湊封裝，在實(shí)現高功率密度的能量傳輸的同時(shí)，方便對市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行升級替換。

WNM6008參數        

豪威集團憑借多年技術(shù)沉淀，緊跟市場(chǎng)需求，在MOSFET工藝上具有導通阻抗低、封裝緊湊、類(lèi)型齊全，能夠滿(mǎn)足多種定制化需求的獨特優(yōu)勢。未來(lái)，豪威集團將持續發(fā)力電路保護領(lǐng)域，不斷升級創(chuàng )新，為數字電路應用的新時(shí)代助力賦能。