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用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

系統級封裝（System in Package，SiP）設計理念是實(shí)現電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開(kāi)關(guān)MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開(kāi)關(guān)電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，為電源SiP的設計提供參考。
關(guān)鍵字：系統級封裝腔體 3D堆疊鍵合銅片夾扣 202112 MOSFET

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應用

本文闡述了大容量鋰離子電池包內部功率MOSFET的配置以及實(shí)現二級保護的方案；論述了其實(shí)現高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點(diǎn)；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導致電池包不正常工作的問(wèn)題。
關(guān)鍵字：電池充放電管理雪崩短路漏電流 MOSFET 202112

大功率電池供電設備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

電池供電電機控制方案為設計人員帶來(lái)多項挑戰，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時(shí)的工作；現在，應用設計人員可以用現代電熱模擬器輕松縮短上市時(shí)間。
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ROHM開(kāi)發(fā)出45W輸出、內置FET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2P06xMF-Z”

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業(yè)設備領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來(lái)，家電和工業(yè)設備領(lǐng)域的AC/DC轉換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等，需要從國際視角構建電源系統。其
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ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運行保駕護航

一、復雜的電子環(huán)境汽車(chē)、工業(yè)和航空電子設備所處的供電環(huán)境非常復雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車(chē)電子系統供電應用為例，該系統不但需要滿(mǎn)足高可靠性要求，還需要應對相對不太穩定的電池電壓，具有一定挑戰性；與車(chē)輛電池連接的電子和機械系統的差異性，也可能導致標稱(chēng)12 V電源出現大幅電壓偏移。事實(shí)上，在一定時(shí)間段內，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車(chē)和工業(yè)系統是常見(jiàn)的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率

如今，越來(lái)越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無(wú)論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個(gè)主要因素（在一個(gè)簡(jiǎn)化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)阻抗，稱(chēng)為rds(on)，另一個(gè)是并聯(lián)電容，稱(chēng)為coss。這兩個(gè)晶體管參數限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術(shù)，設計者可以用它來(lái)降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著(zhù)rds(on)的減小，管芯尺寸會(huì )增加，這會(huì )導
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意法半導體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)應用未來(lái)發(fā)展

※? ?意法半導體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應用※? ?持續長(cháng)期投資 SiC市場(chǎng)，意法半導體迎接未來(lái)增長(cháng)服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導者意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進(jìn)在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統功率設備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場(chǎng)景應用。作為 Si
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CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車(chē)緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現其所建立的合作伙伴關(guān)系

高溫半導體和功率模塊方面的領(lǐng)導性企業(yè)CISSOID 公司，與技術(shù)領(lǐng)先的、為新能源汽車(chē)超快速和超高安全性實(shí)時(shí)控制提供現場(chǎng)可編程控制器單元（FPCU）半導體架構的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC）智能功率模塊（IPM）平臺實(shí)現了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動(dòng)汽車(chē)電機驅動(dòng)的緊湊型高效碳化硅逆變器的開(kāi)發(fā)。該合作伙伴關(guān)系將提供一個(gè)碳化硅逆變器的模塊化平臺，從而提供高
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安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應用于服務(wù)器和電信

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿(mǎn)足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個(gè)產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領(lǐng)先同類(lèi)的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開(kāi)關(guān)特性和較低的門(mén)極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務(wù)器和電信系統是
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派恩杰SiC MOSFET批量“上車(chē)”，擬建車(chē)用SiC模塊封裝產(chǎn)線(xiàn)

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車(chē)企紛紛加速SiC MOSFET在汽車(chē)上的應用落地。但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國外壟斷，據Yole數據，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導體占據了90%的市場(chǎng)份額。國產(chǎn)廠(chǎng)商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。近日，據業(yè)內人士透露，國產(chǎn)碳化硅功率器件供應商派恩杰半導體（杭州）有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)派恩杰）的SiC MOSFET產(chǎn)品在新能源汽車(chē)OBC應用驗證取得了重大突破，獲得了新能源汽車(chē)
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安森美在A(yíng)SPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏(yíng)得頭籌

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)近日宣布其N(xiāo)CP51561隔離SiC MOSFET門(mén)極驅動(dòng)器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導體/驅動(dòng)器類(lèi)獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業(yè)的創(chuàng )新和發(fā)展做出杰出貢獻的企業(yè)和個(gè)人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶(hù)社群選出獲獎?wù)?。安森美同時(shí)宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類(lèi)獎項，同時(shí)公司以其先進(jìn)的汽車(chē)方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動(dòng)車(chē)(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
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2021基本創(chuàng )新日盛大開(kāi)啟碳化硅系列新品重磅發(fā)布

新基建和“雙碳”戰略目標推動(dòng)下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開(kāi)啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng )新為基，創(chuàng )芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng )新日活動(dòng)在深圳盛大啟幕?；景雽w總經(jīng)理和巍巍博士在會(huì )上發(fā)布了汽車(chē)級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展，受到了現場(chǎng)來(lái)自汽車(chē)、工業(yè)、消費等領(lǐng)域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內人士的高度關(guān)注。汽車(chē)級全碳化硅功
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東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動(dòng)IC。這兩款器件于近日開(kāi)始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現在可直接通過(guò)該光耦驅動(dòng)其IGBT／MOSFET而無(wú)需任何緩沖器。這將有助于減少部件數量并實(shí)現設計小型
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非常見(jiàn)問(wèn)題第191期：負載點(diǎn)DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問(wèn)題

問(wèn)題：為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(diǎn)(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實(shí)現POL轉換需要特別注意穩壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動(dòng)態(tài)響應的最佳方法之一。負載點(diǎn)轉換器是一種電源DC-DC轉換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來(lái)越高。例如，在汽車(chē)應用中，高級駕駛員輔助系統(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺(jué)系統——中使用的傳感器數量在穩步倍增，導致需要更快的數
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多通道電流傳感器自動(dòng)測試系統

多通道電流傳感器自動(dòng)測試系統可以根據測試需求，實(shí)現電流傳感器的比例誤差、上升時(shí)間、零點(diǎn)偏置、零點(diǎn)漂移、線(xiàn)性度等參數的自動(dòng)測試。其中精密恒流源輸出可至200 A，準確度優(yōu)于0.01%，多臺并聯(lián)可達到2 kA。覆蓋了大多數中低準確度的測試需求，同時(shí)可配合準確度高達10-6的標準電流傳感器解決更高準確度的測試需求。
關(guān)鍵字：電流傳感器自動(dòng)測試精密恒流源比例誤差 202111 MOSFET