EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
coolsic mosfet
coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區
東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調節器等工業(yè)設備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
- 關(guān)鍵字： 東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
工程師必看！從驅動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應用實(shí)戰手冊
- MOSFET因其獨特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業(yè)設備、智能手機及便攜式數碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現在三個(gè)方面：驅動(dòng)電路設計簡(jiǎn)化，所需驅動(dòng)電流遠低于BJT，可直接由CMOS或集電極開(kāi)路TTL電路驅動(dòng)；開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，無(wú)電荷存儲效應，支持高速工作；熱穩定性強，無(wú)二次擊穿風(fēng)險，高溫環(huán)境下性能表現更穩定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場(chǎng)景中表現尤為突出。近年來(lái)，隨著(zhù)汽車(chē)、通信、能源、消費、綠色工業(yè)等大量應用MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)在近幾年來(lái)得到了快速的發(fā)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統采用
- 全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲能系統技術(shù)的專(zhuān)業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SMA”）在其太陽(yáng)能系統新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規模太陽(yáng)能發(fā)電設施、儲能系統以及下一代技術(shù)設計的模塊化平臺，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
- 關(guān)鍵字： 羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽(yáng)能
利用 SMFA 系列非對稱(chēng) TVS 二極管實(shí)現高效 SiC MOSFET 柵極保護
- 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應用越來(lái)越廣泛。隨著(zhù)功率半導體領(lǐng)域的發(fā)展，開(kāi)關(guān)損耗也在不斷降低。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，設計人員應更加關(guān)注MOSFET的柵極驅動(dòng)電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過(guò)高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長(cháng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動(dòng)器設計措施關(guān)于SiC-MOSFET驅動(dòng)器電路的穩健性，有幾個(gè)問(wèn)題值得考慮。除了驅動(dòng)器安全切換半導
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現更加智能、快速的固態(tài)配電
- 近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線(xiàn)性模式下的熱穩定性以及精確的過(guò)壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車(chē)應用中實(shí)現可靠且高效的系統性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車(chē)電池隔離開(kāi)關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC JFET 固態(tài)配電
電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性
- 以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動(dòng)感性負載時(shí)，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實(shí)際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過(guò)最大漏源電壓并且電流沖
- 關(guān)鍵字： 電源管理 MOSFET 功率MOSFET
清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
- 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著(zhù)功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
- 關(guān)鍵字： 清純半導體 微碧半導體 第3代 SiC MOSFET
SiC MOSFET如何提高AI數據中心的電源轉換能效
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著(zhù)數據中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營(yíng)成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著(zhù)數據中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長(cháng)一方面是為了降低運營(yíng)成本
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET AI數據中心 電源轉換能效
英飛凌攜手Enphase通過(guò)600V CoolMOS? 8提升能效并降低MOSFET相關(guān)成本
- Enphase Energy采用全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的?600 V CoolMOS? 8高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡(jiǎn)化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽(yáng)能和電池系統的領(lǐng)先供應商。通過(guò)使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enphase顯著(zhù)降低了其太陽(yáng)能逆變器系統的?MOSFET?內阻（RDS(on)），進(jìn)而減
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 Enphase CoolMOS MOSFET
CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封裝
- CoolSiC?肖特基二極管10-80A 2000V G5系列現在也采用TO-247-2封裝。在高達1500V的高直流母線(xiàn)系統中，該二極管可實(shí)現更高的效率和設計簡(jiǎn)化。此外，由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，它們還具有一流的散熱性能。該二極管與配套的CoolSiC? MOSFET 2000V產(chǎn)品完美匹配。產(chǎn)品型號：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5產(chǎn)品特點(diǎn)■ 無(wú)
- 關(guān)鍵字： 二極管 CoolSiC
Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創(chuàng )新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿(mǎn)足了眾多高功率（工業(yè)）應用領(lǐng)域對分立式SiC MOSFET不斷增長(cháng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實(shí)現卓越的熱性
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET
第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒(méi)有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC MOSFET
英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設計
- 目前，許多工業(yè)應用正朝著(zhù)更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現這一目標的方法之一是提高直流母線(xiàn)電壓。針對這一市場(chǎng)趨勢，全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現有的大多數TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線(xiàn)電壓為15
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC 肖特基二極管
ROHM開(kāi)發(fā)出適用于A(yíng)I服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開(kāi)發(fā)出實(shí)現了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于A(yíng)I服務(wù)器48V系統電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著(zhù)高級數據處理技術(shù)的進(jìn)步和數字化轉型的加速，
- 關(guān)鍵字： ROHM AI服務(wù)器 服務(wù)器電源 MOSFET
東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動(dòng)光電耦合器
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì )產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見(jiàn)的保護措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
- 關(guān)鍵字： 東芝 SiC MOSFET 柵極驅動(dòng) 光電耦合器
coolsic mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條coolsic mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
coolsic mosfet電路
coolsic mosfet相關(guān)帖子
coolsic mosfet資料下載
coolsic mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473