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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開(kāi)關(guān)損耗
- 隨著(zhù)對電動(dòng)公共汽車(chē)和其他電氣化重型運輸車(chē)輛的需求增加，以滿(mǎn)足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類(lèi)運輸系統提供更高效率。為了進(jìn)一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數字柵極驅動(dòng)器，為系統開(kāi)發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實(shí)現安全、可靠的運輸并滿(mǎn)足嚴格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動(dòng)器，可降低50%開(kāi)關(guān)損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來(lái)說(shuō)，Microchip的Agi
- 關(guān)鍵字： Microchip 碳化硅 MOSFET
雙極結型晶體管——MOSFET的挑戰者
- 0? ?引言數字開(kāi)關(guān)通常使用MOSFET 來(lái)創(chuàng )建，但是對于低飽和電壓的開(kāi)關(guān)模型，雙極結型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢（圖1）。圖1 雙極結型晶體管可為移動(dòng)設備提供更長(cháng)的使用壽命 圖源：IB Photography/Shutterstock在負載開(kāi)關(guān)應用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項用途，因為它們不需要任何底層控制器作為電壓控制組件。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 202109
使用無(wú)刷直流電機加速設計周期的3種方法
- 全球都在致力降低功耗，且勢頭愈來(lái)愈烈。許多國家/地區都要求家用電器（如圖 1 所示）滿(mǎn)足相關(guān)組織（如中國標準化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍天使）制定的效率標準。為了滿(mǎn)足這些標準，越來(lái)越多的系統設計人員在設計中放棄了簡(jiǎn)單且易用的單相交流感應電機，轉而采用更節能的低壓無(wú)刷直流 (BLDC) 電機。為了實(shí)現更長(cháng)的使用壽命和更低的運行噪音，掃地機器人等小型家電的設計人員也轉而在他們的許多系統中使用更先進(jìn)的 BLDC 電機。同時(shí)，永磁技術(shù)的進(jìn)步正不斷簡(jiǎn)化 BLDC 電機的制造，在提供相同扭矩（負載）的
- 關(guān)鍵字： MOSFET BLDC
面向工業(yè)環(huán)境的大功率無(wú)線(xiàn)電力傳輸技術(shù)
- 1.?? 簡(jiǎn)介隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)電力傳輸技術(shù)在消費類(lèi)電子產(chǎn)品中的日益普及，工業(yè)和醫療行業(yè)也把關(guān)注焦點(diǎn)轉移至這項技術(shù)及其固有優(yōu)勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無(wú)線(xiàn)技術(shù)的推動(dòng)下，通信接口日益向無(wú)線(xiàn)化發(fā)展，無(wú)線(xiàn)電力傳輸技術(shù)也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來(lái)明顯的技術(shù)優(yōu)勢，還能為新的工業(yè)設計開(kāi)辟更多可能性。這項技術(shù)提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域，例如 ATEX、醫藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
- 關(guān)鍵字： MOSFET
仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
- 開(kāi)篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無(wú)法替代實(shí)驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動(dòng)電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
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功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調在實(shí)際應用中出現大量外機不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經(jīng)過(guò)對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發(fā)現IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )
- 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會(huì )展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )(展位號:11號館B39),屆時(shí)將展示面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應用分析大會(huì )”以及“電動(dòng)交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
- 關(guān)鍵字： MOSFET
了解熱阻在系統層級的影響
- 在電阻方面，電流流動(dòng)的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時(shí)遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個(gè)熱阻，可以用這些數字來(lái)計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產(chǎn)生熱的來(lái)源，允許接面超過(guò)其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術(shù)來(lái)設計保護措施，以避免發(fā)生過(guò)熱關(guān)機等情況，但不可避免的是仍會(huì )造成損壞。一個(gè)更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會(huì )造成接面溫度超過(guò)其操作最大值的情況。由于無(wú)法直接強制冷卻接面溫度，透過(guò)傳導來(lái)進(jìn)行散熱是確保不會(huì )超過(guò)溫度的唯一方法。工程師需要在這
- 關(guān)鍵字： MOSFET
BUCK轉換器的PCB布局設計
- 討論了BUCK轉換器的開(kāi)通回路、關(guān)斷回路的電流特性，具有高電流變化率di/dt的輸入回路，以及具有高的電壓變化率dV/dt的開(kāi)關(guān)節點(diǎn)是其關(guān)鍵回路和關(guān)鍵 節點(diǎn)，使用盡可能小的環(huán)路，短粗布線(xiàn)，優(yōu)先對其進(jìn)行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則，也給出了分立和集成的BUCK轉換器的PCB布局技巧和一些實(shí)例，分析了它們的優(yōu)缺點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： PCB布局 磁場(chǎng)干擾 電場(chǎng)干擾 MOSFET 202108
碳化硅邁入新時(shí)代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰
- 1996年，ST開(kāi)始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動(dòng)汽車(chē)。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來(lái)發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車(chē)將采用SiC MOSFET。這項技術(shù)也正在改變其他市場(chǎng)，例如，太陽(yáng)能逆變器、儲能系統、服務(wù)器電源、充電站等。因此，了解SiC過(guò)去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導體行業(yè)如何克服技術(shù)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Maxim Integrated發(fā)布來(lái)自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動(dòng)器，可最大程度地延長(cháng)電池壽命并將元件數量減半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動(dòng)器，有效簡(jiǎn)化無(wú)刷直流(DC)電機驅動(dòng)設計，并最大程度地延長(cháng)電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動(dòng)器為每相集成了低邊檢流放大器，構成完備的電機驅動(dòng)方案；與同類(lèi)產(chǎn)品相比元件數量減半，且電源效率提高30%，大幅簡(jiǎn)化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進(jìn)行性
- 關(guān)鍵字： MOSFET
電動(dòng)汽車(chē)用SiC和傳統硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革
- 近年來(lái)，在全球“創(chuàng )建無(wú)碳社會(huì )”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動(dòng)汽車(chē)（xEV）得以日益普及。為了進(jìn)一步提高系統的效率，對各種車(chē)載設備的逆變器和轉換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC（車(chē)載充電機）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產(chǎn)品群進(jìn)行提案。羅姆半導體（上海）有限公司 技術(shù)中心 副總經(jīng)理 周勁1? ?Si
- 關(guān)鍵字： MOSFET 202108
功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋?zhuān)簻p少主二極管的浪涌電流；提高系統抗雷擊的能力；減少開(kāi)機瞬間系統的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統重起動(dòng)，導致功率MOSFET驅動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線(xiàn)性區而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線(xiàn)性區 欠壓保護 202103 MOSFET
簡(jiǎn)易直流電子負載的設計與實(shí)現*
- 隨著(zhù)電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統負載測試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統負載測試方法存在功耗較大、效率與調節精度低、體積大等問(wèn)題，設計并制作一款適合隨頻率、時(shí)間變化而發(fā)生改變的被測電源的簡(jiǎn)潔、實(shí)用、方便的直流電子負載。系統主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場(chǎng)效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實(shí)現了在一定電壓與電流范圍內恒壓恒流任意可調，并通過(guò)LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設定值
- 關(guān)鍵字： STC12C5A60S2單片機 恒流恒壓 IRF3205 負載調整率 202105 MOSFET
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET
- 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本?；A半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于特定應用場(chǎng)景。通過(guò)專(zhuān)注于對某一應用至關(guān)重要的特定參數，有時(shí)需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實(shí)現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
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