EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
coolsic mosfet
coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區
安森美：聚焦SiC產(chǎn)能擴建，推出最新MOSFET產(chǎn)品
- 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jì)，其三季度業(yè)績(jì)直線(xiàn)上揚，總營(yíng)收21.93億美元，同比增長(cháng)25.86%；毛利10.58億美元，同比增長(cháng)46.82%。財報數據顯示，其三大業(yè)務(wù)中，智能電源組營(yíng)收為11.16億美元，同比增長(cháng)25.1%；高級解決方案組營(yíng)收7.34億美元，同比增長(cháng)19.7%；智能感知組營(yíng)收為3.42億美元，同比增長(cháng)44.7%，三大業(yè)務(wù)全線(xiàn)保持增長(cháng)。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執行了一系列的戰略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域，從傳統的I
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領(lǐng)先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務(wù)器和通信設備。 多年來(lái)，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專(zhuān)業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結合起來(lái)，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿(mǎn)足特定應用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來(lái)，針對電池隔離(BMS)、直流
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET ASFET SOA
安森美推出采用創(chuàng )新Top Cool封裝的MOSFET
- 2022年11月17日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng )新的頂部冷卻，幫助設計人員解決具挑戰的汽車(chē)應用，特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤(pán)，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過(guò)傳統的印刷電路板（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度
- 關(guān)鍵字： 安森美 Top Cool封裝 MOSFET
如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效
- 在各種電源應用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領(lǐng)域，例如工業(yè)電機驅動(dòng)器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來(lái)越嚴苛，已經(jīng)超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
- 關(guān)鍵字： Digi-Key MOSFET
全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效
- SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿(mǎn)足包括軌道車(chē)用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實(shí)現系統的低損耗和小型化。東芝推出并已量產(chǎn)的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產(chǎn)品，其最大亮點(diǎn)是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
- 關(guān)鍵字： Toshiba MOSFET
英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統和燃料電池提供CoolSiC?功率器件
- 【2022年10月26日，德國慕尼黑訊】當前的能源危機充分表明，全球迫切需要尋找替代能源來(lái)構建氣候友好型的能源供應能力。近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司（Bloom Energy）選中，用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器（Bloom’s Energy Server）以及布魯姆電解系統（Bloom Electrolyzer）中的功率變換。??布魯姆能源
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 布魯姆能源公司 電解系統 燃料電池 CoolSiC 功率器件
認識線(xiàn)性功率MOSFET
- 本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進(jìn)行說(shuō)明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優(yōu)勢，與方案選擇的應用思考。線(xiàn)性MOSFET是線(xiàn)性模式應用時(shí)最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\作。然而，用于線(xiàn)性模式應用時(shí)，標準MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩定性，從而可能導致組件損壞。A類(lèi)音訊放大器、主動(dòng)式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線(xiàn)性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區內運行。了解線(xiàn)性模式運作在功率 MOSFET 的線(xiàn)性工作模式下，高電壓和高
- 關(guān)鍵字： Littelfuse 線(xiàn)性功率 MOSFET
電源系統設計優(yōu)化秘技:單片驅動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)
- 現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級封裝，從而實(shí)現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉換。隨著(zhù)對這
- 關(guān)鍵字： 電源系統設計 單片驅動(dòng)器 MOSFET DrMOS
科普：MOSFET結構及其工作原理
- MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫(xiě)組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著(zhù)氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體(S)導電溝道開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱(chēng)為絕緣柵型場(chǎng)效應管。市面上大家所說(shuō)的功率場(chǎng)效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
- 關(guān)鍵字： MOSFET
基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動(dòng)器的11kW DC-DC變換器方案
- REF-DAB11KIZSICSYS是一個(gè)CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性?xún)r(jià)比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開(kāi)關(guān)特性，是電動(dòng)汽車(chē)和能量存儲系統（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統，電動(dòng)汽車(chē)快速充電，功率轉換系統 （PCS）?場(chǎng)景應用
- 關(guān)鍵字： mosfet dc-dc 英飛凌 ipcdcdc infineon 終端 功率 dc 充電器
上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動(dòng)IC和MOSFET解決方案
- 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來(lái)越豐富，隨之帶來(lái)了耗電量急劇上升的挑戰。然而，在現有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開(kāi)始探索更快的電量補給，以高效充電來(lái)壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶(hù)體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過(guò)一條USB-TYPE C線(xiàn)纜
- 關(guān)鍵字： 上海貝嶺 驅動(dòng)IC MOSFET
測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項：一般測量方法
- SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(cháng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開(kāi)關(guān)速度較快時(shí)
- 關(guān)鍵字： 羅姆半導體，MOSFET
東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
- 關(guān)鍵字： 東芝 SiC MOSFET
英飛凌CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力，讓電動(dòng)汽車(chē)化身家庭應急備用電源
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著(zhù)利用綠色電力實(shí)現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開(kāi)發(fā)出了雙向逆變器，即一個(gè)由太陽(yáng)能發(fā)電、儲能和電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電組成的三合一混合系統，它能夠將電動(dòng)汽車(chē)作為家庭應急備用電源。 這款雙向逆變器可用于為電動(dòng)汽車(chē)（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時(shí)的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設備的核心組件。該雙向逆變器搭
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC 雙向逆變器 備用電源
Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽(tīng)器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿(mǎn)足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 晶圓級 MOSFET
coolsic mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條coolsic mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
coolsic mosfet電路
coolsic mosfet相關(guān)帖子
coolsic mosfet資料下載
coolsic mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473