Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件,如今更進(jìn)一步,Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中,成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括:
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202207/435954.htm
新一代可穿戴設備和可聽(tīng)戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學(xué)習(ML)技術(shù),這為產(chǎn)品設計帶來(lái)了若干挑戰。首先,隨著(zhù)功能的增加,可供使用的電路板空間變得十分寶貴,另外,隨著(zhù)功耗的增加,散熱也成為一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。
Nexperia作為分立器件生產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)導者,憑借數十年經(jīng)驗的沉淀,設計出這一超小尺寸的創(chuàng )新型MOSFET系列,成功地克服了這兩個(gè)問(wèn)題。超薄型DFN0603封裝,尺寸僅為0.63 x 0.33 x 0.25 mm,比第二小封裝(DFN0604)的MOSFET使用的空間少13%。令人驚嘆的是,這種尺寸上的縮小毫不影響器件性能,事實(shí)上,這些MOSFET的RDS(on)減少了74%,這有助于提高效率,從而使可穿戴設備設計能夠實(shí)現更大的功率密度。
該新系列小型MOSFET包括:
· PMX100UN 20 V,N溝道Trench MOSFET
· PMX100UNE 20 V,N溝道Trench MOSFET,帶2kV ESD保護(HBM)
· PMX300UNE 30 V,N溝道Trench MOSFET
· PMX400UP 20 V,P溝道Trench MOSFET
Nexperia計劃于2022年下半年為該系列再增加兩款MOSFET。
樣品現已供貨。
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