EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mdmesh
mdmesh 文章 進(jìn)入mdmesh技術(shù)社區
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務(wù)器、5G基礎設施、平板電視機的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類(lèi)領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MDmesh MOSFET
意法半導體快速恢復的超結MOSFET為電橋和ZVS轉換器帶來(lái)卓越性能
- 意法半導體的MDmesh? DM6 600V MOSFET含有一個(gè)快速恢復體二極管，將該公司最新的超結(super-junction)技術(shù)的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)相移轉換器等通常需要一個(gè)穩定可靠的二極管來(lái)處理動(dòng)態(tài)dV/dt的應用和拓撲結構里?！ Dmesh DM6 MOSFET利用意法半導體先進(jìn)的載流子壽命控制技術(shù)減少反向恢復時(shí)間(trr)，最大限度地降低續流后關(guān)斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復軟度增強了產(chǎn)品可靠性。此外，極低的柵極電荷(Qg)和導通電阻(RDS
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MDmesh
| 共2條 1/1 1 |
mdmesh介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條mdmesh!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對mdmesh的理解，并與今后在此搜索mdmesh的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對mdmesh的理解，并與今后在此搜索mdmesh的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473