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英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強特性進(jìn)一步提高系統能效

  • 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù),即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝,具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿(mǎn)足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統,如光伏逆變器。同時(shí),這款芯片也是電動(dòng)汽車(chē)快充、儲能系統和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅動(dòng)電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時(shí),隨著(zhù)柵極運行
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場(chǎng)效應管常用的三大作用:放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導通

  • 1、放大電路場(chǎng)效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場(chǎng)效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下圖是場(chǎng)效應管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉換成漏極電壓,并影響放大倍數Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛,如下圖是主要是由場(chǎng)效應管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場(chǎng)
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開(kāi)關(guān)電源MOS管有哪些損耗,如何減少MOS管損耗

  • 一、什么是開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)模式電源(SwitchModePowerSupply,簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS),又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉換裝置,是電源供應器的一種。其功能是將一個(gè)位準的電壓,透過(guò)不同形式的架構轉換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設備,例如個(gè)人電腦,而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
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10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過(guò)流保護

  • 摘要傳統上,過(guò)流保護使用的是保險絲。但是,保險絲體積龐大,響應速度慢,跳閘電流公差大,需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的10 A電子保險絲,它沒(méi)有上述這些無(wú)源保險絲缺點(diǎn)。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過(guò)流保護。簡(jiǎn)介為了盡量減少由電氣故障引起的系統停機時(shí)間,使用率高的電源或全年無(wú)休的系統需要在供電板上增加過(guò)載和短路保護。當電源為多個(gè)子系統或板(例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務(wù)器和路由器)供電時(shí),必須為電源提供過(guò)流保護??焖贁嚅_(kāi)發(fā)生故障的子系統與共享電源總
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功率半導體的創(chuàng )新驅動(dòng)下一代能源網(wǎng)絡(luò )建設,構建可持續發(fā)展的未來(lái)

  • 全球變暖是人類(lèi)面臨的最大挑戰。全球科學(xué)家已達成共識,必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平,將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下,才能擁有一個(gè)可持續發(fā)展的未來(lái)。要實(shí)現面向未來(lái)的可持續能源網(wǎng)絡(luò ),綠色轉型勢在必行,下一代能源基礎設施必須對環(huán)境有利。安森美認為下一代能源網(wǎng)絡(luò )將主要基于太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源,并結合能源儲存的能力。此外,我們認為能耗必須向電動(dòng)汽車(chē) (EV) 等高效和零排放的負載遷移,以實(shí)現可行且可持續的能源網(wǎng)絡(luò )。圖1 21世紀能源網(wǎng)絡(luò )無(wú)論是太陽(yáng)能、風(fēng)能和儲能等可再生能源,還是電動(dòng)汽車(chē)
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健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇

  • 可穿戴設備廣泛用于娛樂(lè )、運動(dòng)和醫療健康等領(lǐng)域,作為把多媒體、傳感器和無(wú)線(xiàn)通信等技術(shù)嵌入人們的衣著(zhù)或配件的設備,可支持手勢和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機遇,可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后,行業(yè)前景一直穩步成長(cháng)。據統計,2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規模超過(guò)了500億美元,是2014年的2倍以上,可以說(shuō)可穿戴設備已成為過(guò)去5年來(lái)消費電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響,部
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如何用無(wú)橋圖騰柱功率因數校正控制器實(shí)現出色的AC-DC功率轉換效率

  • 電網(wǎng)提供的電能是交流電,但我們使用的大多數設備都需要直流電,這意味著(zhù)進(jìn)行這種轉換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見(jiàn)的負載之一。隨著(zhù)世界關(guān)注能效以保護環(huán)境并管理運營(yíng)成本,這些電源的高效運行變得越來(lái)越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量,很容易理解。但是,輸入功率因數也有很大的影響。功率因數(PF) 描述了任何交流電設備(包括電源)消耗的有用(真實(shí))功率與總(視在)功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載,PF 將等于1,但任何負載內的無(wú)功
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貿澤電子開(kāi)售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學(xué) (PAS) 原理,采用高靈敏度MEMS麥克風(fēng)檢測傳感器腔內CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著(zhù)減小CO2傳感器的尺寸,與市面上其他CO2傳感器相比,可以在最終產(chǎn)品中節省超過(guò)75%的空間。貿澤電子分銷(xiāo)的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器(包含檢測器、紅外源和光學(xué)濾波器)、用
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揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用SGT工藝

  • 4月8日消息,揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用先進(jìn)的SGT (Shield  Gate  Trench  MOSFET) 制程工藝,針對電機驅動(dòng)、BMS等應用設計,優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數性能同時(shí),提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統、儲能系統、逆變電源系統、電機驅動(dòng)系統、電源管理系統等,是其核
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  楊杰科技  

板子上的MOSFET莫名炸機,多半是這個(gè)原因!

  • MOSFET、IGBT是開(kāi)關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件!其原因大多是過(guò)壓或過(guò)流導致功耗大增,從而使器件損壞,甚至可能會(huì )伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試,就是保障其安全工作的重要測試項目!
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  ZLG  

瑞森 SGT MOSFET 介紹及應用

  • 最近,瑞森研發(fā)部對功率MOSFET的技術(shù)進(jìn)行了更新?lián)Q代,這種技術(shù)改變了MOSFET內部電場(chǎng)的形態(tài),將傳統的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類(lèi)似壓縮的梯形電場(chǎng),可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度,降低導通電阻Rds(on)。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  瑞森  

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?

  • 該文描述了引起功率MOSFET發(fā)生寄生導通的機制,并進(jìn)一步指出為了避免寄生導通,在選取MOSFET時(shí)應遵循什么準則。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  英飛凌  

你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴重?

  • 在開(kāi)關(guān)電源電路中,MOSFET作為最核心的器件,卻也是最容易發(fā)熱燒毀的,那么MOSFET到底承受了什么導致發(fā)熱呢?本文來(lái)帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET?MOSFET是全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型,PNP型通常稱(chēng)P溝道型。如圖1所示,對于N溝道型的場(chǎng)效應管其源極和漏極接在N型半導體上,同樣對于P溝道的場(chǎng)效應管,如圖2所
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最全!20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件,工溫最高175℃

  • 中國半導體功率器件十強企業(yè):揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品:中低壓MOSFET(VDSS:20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS:500V-900V)· 廠(chǎng)牌優(yōu)勢:專(zhuān)注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,,通過(guò)了ISO9001,ISO14001,IATF16949等認證,連續數年評為中國半導體功率器件十強企業(yè)。國內領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè):長(cháng)晶科技(JSCJ)· 主要產(chǎn)品:覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠(chǎng)牌優(yōu)勢:專(zhuān)注于功率器件、分立器件、頻率器件、
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  楊杰科技  長(cháng)晶科技  

聞達精芯之安,泰然創(chuàng )新于世

  • 安世半導體(Nexperia)是全球半導體行業(yè)公認的基礎半導體器件生產(chǎn)專(zhuān)家,持續穩定地大批量生產(chǎn)超越業(yè)界質(zhì)量標準的高效產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字: 202204  MOSFET  
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coolsic mosfet介紹

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