安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小

安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會(huì )發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿(mǎn)足了對適合高功率密度設計的高性能開(kāi)關(guān)組件迅速增長(cháng)的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。
TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。
除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接腳更好的熱性能和更低的封裝電感（2 nH）。其Kelvin source配置可確保更低的閘極噪聲和開(kāi)關(guān)損耗，包括與沒(méi)有Kelvin配置的組件相比，導通損耗（EON）減少60％，確保在具有挑戰性的電源設計中能顯著(zhù)提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾（EMI），和更容易進(jìn)行PCB設計。
安森美先進(jìn)電源分部高級副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：「能在小空間內提供高度可靠的電源設計正成為許多領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，包括工業(yè)、高性能電源和服務(wù)器應用。將我們同類(lèi)最佳的SiC MOSFET封裝在TOLL封裝中，不僅減小空間，還增強許多性能，如EMI和降低損耗等，為市場(chǎng)提供高度可靠和堅固的高性能開(kāi)關(guān)組件，將幫助電源設計人員解決對其嚴格的電源設計挑戰?！?
SiC組件比硅前輩具有明顯的優(yōu)勢，包括增強高頻率能效、更低EMI、更高溫度工作和更可靠。安森美是唯一具有垂直整合能力的SiC方案供貨商，包括SiC晶球生長(cháng)、基板、磊晶、晶圓制造、同類(lèi)最佳的整合模塊和分立封裝解決方案。