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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線(xiàn)。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì )干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來(lái)捋一捋。關(guān)于IGBT使用溝槽柵的原因及特點(diǎn)，可以參考下面兩篇文章：● 英飛凌芯片簡(jiǎn)史● &n
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簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護時(shí)間

在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠(chǎng)環(huán)境中運行的執行器中使用的高邊開(kāi)關(guān)電路的一些具有挑戰性的工作條件和常見(jiàn)故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監控電路運行，并在發(fā)生這些情況時(shí)采取適當措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個(gè)820
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簡(jiǎn)述功率MOSFET電流額定值和熱設計

電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時(shí)的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時(shí)的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時(shí)的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時(shí)的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來(lái)了兩種后果：?? 每個(gè)電流
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小而薄的MOSFET柵極驅動(dòng)IC更適合小型化應用

電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉換都需要負載開(kāi)關(guān)，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實(shí)現斷電控制。負載開(kāi)關(guān)的作用是開(kāi)啟和關(guān)閉電源軌，大部分負載開(kāi)關(guān)包含四個(gè)引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過(guò)ON引腳使能器件時(shí)，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線(xiàn)路推出的MOSFET柵極驅動(dòng)IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開(kāi)關(guān)，它是TCK42xG系列中的首款產(chǎn)品。該系列器件專(zhuān)門(mén)用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
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羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車(chē)零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì )社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“日立安斯泰莫”）用于其純電動(dòng)汽車(chē)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“EV”）的逆變器。在全球實(shí)現無(wú)碳社會(huì )的努力中，汽車(chē)的電動(dòng)化進(jìn)程加速，在這種背景下，開(kāi)發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域，為了延長(cháng)續航里程并減小車(chē)載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。羅姆自2010年
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一文讀懂功率半導體

功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會(huì )用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過(guò)一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過(guò)程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
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國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線(xiàn)：可用于傳統工控、儲能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場(chǎng)，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開(kāi)關(guān)頻率，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導通損耗，減少了無(wú)源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動(dòng)選型及供電設計要點(diǎn)

新能源汽車(chē)動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開(kāi)關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車(chē)載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場(chǎng)景高頻驅動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點(diǎn)，介紹了車(chē)載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動(dòng)芯片方案。最后，本文根
關(guān)鍵字： TI MOSFET OBC

Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實(shí)現更高的效率水平，但有時(shí)難以輕易決定這項技術(shù)是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過(guò) 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越，能夠實(shí)現快速開(kāi)關(guān)的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實(shí)施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進(jìn)一步優(yōu)化了
關(guān)鍵字：儒卓力 MOSFET

專(zhuān)為工業(yè)應用而設計的MOSFET—TOLT封裝

近年來(lái)，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來(lái)越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開(kāi)發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無(wú)引腳封裝，以及內部硅技術(shù)的顯著(zhù)改進(jìn)，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿(mǎn)足工業(yè)市場(chǎng)新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關(guān)鍵特性，主要優(yōu)勢和應用目標應用市場(chǎng)英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
關(guān)鍵字： Arrow MOSFET

ROHM開(kāi)發(fā)出具有絕緣構造、小尺寸、超低功耗的MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設備、無(wú)線(xiàn)耳機等可聽(tīng)戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開(kāi)關(guān)應用。近年來(lái)，隨著(zhù)小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長(cháng)趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性?xún)?yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實(shí)際應用領(lǐng)域，富昌電子結合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動(dòng)電壓，以及SiC器件驅動(dòng)設計中的寄生導通問(wèn)題。本文作為系列文章的第三篇，會(huì )從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給出分析和計算過(guò)程，供設計工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)
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通過(guò)轉向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉換中的權衡問(wèn)題

高壓功率系統設計人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對持續創(chuàng )新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過(guò)，隨著(zhù)高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會(huì )在提高性能的同時(shí)，應對所有其他挑戰。在過(guò)去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來(lái)越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著(zhù)額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場(chǎng)空白

現階段半導體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題，為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面。一、破局進(jìn)口品牌壟斷現階段半導體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(cháng)等問(wèn)題，為填補國內該項系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
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單芯片驅動(dòng)器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統設計

本文介紹最新的驅動(dòng)器+ MOSFET（DrMOS）技術(shù)及其在穩壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強最終應用的整體性能。隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊（VRM）提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數是功率轉換效率，高
關(guān)鍵字：單芯片驅動(dòng)器 MOSFET DrMOS 電源系統設計