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使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過(guò)大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì )導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個(gè)特定值。大多數功率轉換器都有過(guò)流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉換器中，甚至可以調整閾值。圖1. 每個(gè)端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內置甚至可調節限流器的DC-DC升壓轉換器。在這種情況下，無(wú)需額外的限流器模塊。不過(guò)，也有許多應
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Ameya360：平面MOSFET與超級結MOSFET區別

今天,Ameya360給大家介紹近年來(lái)MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來(lái)看近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來(lái)的幾篇將談超級結MOSFET相關(guān)的話(huà)題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據其特征和特性對使用區分有個(gè)初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯?，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
關(guān)鍵字： MOSFET 超級結MOSFET

FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現象下半年將持續

2023 年，半導體和電子元件價(jià)格正在穩定，但仍有部分產(chǎn)品短缺。
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詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小，從而有助于實(shí)現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時(shí)散熱效果并不理想。由于器件的引線(xiàn)框架（包括裸露漏極焊盤(pán)）直接焊接到覆銅區，這導致熱量主要通過(guò)PCB進(jìn)行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過(guò)空氣對流來(lái)散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數、厚度和布局。無(wú)論電路板是
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銀河微電：功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動(dòng)平臺表示，功率MOSFET器件已實(shí)現Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來(lái)將根據市場(chǎng)情況逐步系列化；DFN0603無(wú)框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開(kāi)發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開(kāi)發(fā)，未來(lái)芯片線(xiàn)改擴建時(shí)將進(jìn)行成果轉化。
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功率器件動(dòng)態(tài)參數測試系統選型避坑指南

_____“?動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統應用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節都扮演著(zhù)非常重要的角色。故對功率器件動(dòng)態(tài)參數進(jìn)行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進(jìn)行?！卑凑毡粶y器件的封裝類(lèi)型，功率器件動(dòng)態(tài)參數測試系統分為針對分立器件和功率模塊兩大類(lèi)。長(cháng)期以來(lái)，針對功率模塊的測試系統占據絕大部分市場(chǎng)份額，針對分立器件的測試系統需求較少，選擇也很局限。隨著(zhù)我國功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程加快，功率器件廠(chǎng)商和系統應用企業(yè)也越來(lái)越重視功率器件動(dòng)態(tài)參數測試，特別是針對分立器件的測試系統提出了越來(lái)越多
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功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎認識

高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。高頻高效是開(kāi)關(guān)電源及電力電子系統發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開(kāi)關(guān)損耗增加，因此要使用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開(kāi)關(guān)損耗，提高系統效率。功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗有2個(gè)產(chǎn)生因素：1）開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線(xiàn)性區（放大區）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
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高壓SiC MOSFET研究現狀與展望

碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究?jì)r(jià)值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展，總結了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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東芝推出采用新型高散熱封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET,支持車(chē)載設備對更大電流的需求

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。近年來(lái)，隨著(zhù)社會(huì )對電動(dòng)汽車(chē)需求的增長(cháng)，產(chǎn)業(yè)對能滿(mǎn)足車(chē)載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內部接線(xiàn)柱[1]結構，通過(guò)引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外
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功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導體器件，也稱(chēng)為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車(chē)是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車(chē)為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲能和電動(dòng)汽車(chē)）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據每個(gè)細分領(lǐng)域性能要求
關(guān)鍵字：功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代

羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧

羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場(chǎng)效晶體管，以及多個(gè)可用的TO247封裝元件，其汽車(chē)級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續瞄準他們之前取得成功的車(chē)載充電器市場(chǎng)。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱(chēng)其第4代產(chǎn)品“通過(guò)進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時(shí)間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著(zhù)降低寄生電容使得開(kāi)關(guān)損耗比我們的上一代碳
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Vishay推出的新款對稱(chēng)雙通道MOSFET 可大幅節省系統面積并簡(jiǎn)化設計

美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應
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瑞薩電子推出新型柵極驅動(dòng)IC 用于驅動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車(chē)逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來(lái)自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開(kāi)啟和關(guān)閉功率器件。為適應電動(dòng)車(chē)輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開(kāi)關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線(xiàn)電感影響變得無(wú)法忽視，導致漏極源極之間會(huì )有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過(guò)使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴峻

PC、消費性市況在2022年第四季需求持續疲弱，且今年第一季客戶(hù)端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應鏈預期，最差情況可能要延續到今年第三季才可能逐步結束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠(chǎng)營(yíng)運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場(chǎng)庫存去化速度緩慢。供應鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶(hù)端重復下單情況在2
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