Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
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基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領(lǐng)先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務(wù)器和通信設備。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202211/440601.htm
多年來(lái)，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專(zhuān)業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結合起來(lái)，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿(mǎn)足特定應用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來(lái)，針對電池隔離(BMS)、直流電機控制、以太網(wǎng)供電（POE）和汽車(chē)安全氣囊等應用的產(chǎn)品優(yōu)化升級不斷取得成功。
浪涌電流給熱插拔應用帶來(lái)了可靠性挑戰。為了應對這一挑戰，增強型SOA MOSFET領(lǐng)域的前沿企業(yè)Nexperia專(zhuān)門(mén)針對此類(lèi)應用進(jìn)行了全面升級，設計了適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，并增強了SOA性能。與之前的技術(shù)相比，PSMNR67-30YLE ASFET的SOA(12V @100mS)性能提高到了2.2倍，同時(shí)RDS(on)（最大值）低至0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比，新款器件不僅消除了Spirito效應（表示為SOA曲線(xiàn)的更高壓區域中更為陡峭的斜向下曲線(xiàn)），還同時(shí)保持了整個(gè)電壓和溫度范圍內的出色性能。
Nexperia通過(guò)在125°C下對新款器件進(jìn)行完全表征，并提供高溫下的SOA數據曲線(xiàn)，消除了熱降額設計的必要性，從而為設計人員提供進(jìn)一步支持。
8款新產(chǎn)品（3款25V和5款30V）現已可選擇LFPAK56或LFPAK56E封裝，其中RDS(on)范圍為0.7m?到2m?，可適用于大多數熱插拔和軟啟動(dòng)應用。其他2款25V產(chǎn)品的RDS(on)更低，僅為0.5m?，預計將于未來(lái)幾個(gè)月內發(fā)布。
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