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貿澤開(kāi)售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jì)Υ嫦到y、電動(dòng)汽車(chē)充電、電源和電機驅動(dòng)應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率
- 隨著(zhù)人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關(guān)特定客戶(hù)需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?，F在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2
- 在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)解決方案的發(fā)展
- 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)功率應用對更高能效和功率密度日益增長(cháng)的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車(chē)規級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進(jìn)行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動(dòng)汽車(chē)充電、工業(yè)驅動(dòng)器、太陽(yáng)能和儲能系統、固態(tài)斷路器、UPS系統、服務(wù)器/數據中心、電信等）和汽車(chē)領(lǐng)域（包括車(chē)載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì )降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線(xiàn)電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉換過(guò)程
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2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET
- CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。產(chǎn)品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線(xiàn)電壓為1500VDC系統■ 開(kāi)關(guān)損
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英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實(shí)現更高效率和功率密度
- 英飛凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm?器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H?碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統的62mm IGBT?模塊，其應用范圍現已擴展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統等。增強型
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英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動(dòng)節能電氣化列車(chē)低碳化
- 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】為了實(shí)現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環(huán)保的車(chē)輛，比如節能的電氣化列車(chē)。然而，列車(chē)運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動(dòng)，且要在相當長(cháng)的使用壽命內可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節能牽引應用。 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）為了滿(mǎn)足上述需求，在其 CoolSiC? 功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款新產(chǎn)品：FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
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英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統和燃料電池提供CoolSiC?功率器件
- 【2022年10月26日，德國慕尼黑訊】當前的能源危機充分表明，全球迫切需要尋找替代能源來(lái)構建氣候友好型的能源供應能力。近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司（Bloom Energy）選中，用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器（Bloom’s Energy Server）以及布魯姆電解系統（Bloom Electrolyzer）中的功率變換。??布魯姆能源
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英飛凌CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力，讓電動(dòng)汽車(chē)化身家庭應急備用電源
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用，使得臺達電子向著(zhù)利用綠色電力實(shí)現能源轉型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開(kāi)發(fā)出了雙向逆變器，即一個(gè)由太陽(yáng)能發(fā)電、儲能和電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電組成的三合一混合系統，它能夠將電動(dòng)汽車(chē)作為家庭應急備用電源。 這款雙向逆變器可用于為電動(dòng)汽車(chē)（EV）和家用電池充電，還能作為意外停電時(shí)的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設備的核心組件。該雙向逆變器搭
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC 雙向逆變器 備用電源
碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會(huì )，電子產(chǎn)品世 界訪(fǎng)問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統事 業(yè)部大中華區開(kāi)關(guān)電源應用高級市 場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續模 式
- 關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
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