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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 晶圓
三星和海力士獲得蘋(píng)果7000萬(wàn)NAND大單
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋(píng)果最近向韓國三星電子與海力士?jì)杉夜鞠聠?，要求供?000萬(wàn)顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋(píng)果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國時(shí)報指出，有可靠的消息來(lái)源透露“三星電子被要求供應5000萬(wàn)顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋(píng)果，而海力士也將供應2000萬(wàn)顆。” 部分分析師認為，蘋(píng)果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠(chǎng)商業(yè)績(jì)，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。 分析師還指出，N
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 芯片
三維NAND內存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專(zhuān)家Geoff Burr曾說(shuō)過(guò)，如果數據中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠(chǎng)的話(huà)，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話(huà)，那么10年以后他們就會(huì )陷入那樣的噩夢(mèng)之中。 這并非危言聳聽(tīng)，過(guò)去的解決方案現在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數據中心添加更多的傳統硬盤(pán)就可以了，而且那樣做也很方便?，F在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
- 關(guān)鍵字： IBM NAND 固態(tài)存儲
基于A(yíng)DSP―BF533的μClinux嵌入式系統移植與開(kāi)發(fā)
- 基于A(yíng)DSP―BF533的μClinux嵌入式系統移植與開(kāi)發(fā),Blackfin處理器是基于由美國模擬器件公司(ADI)和Intel公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)的微信號架構(MSA)的首款第4代DSP產(chǎn)品，它是ADI公司16 位產(chǎn)品的一個(gè)大系列。這一新產(chǎn)品是專(zhuān)為通信和互聯(lián)網(wǎng)應用而設計的通用DSP芯片，適合處理廣泛用
- 關(guān)鍵字： 系統 移植 開(kāi)發(fā) 嵌入式 Clinux ADSP BF533 基于 嵌入式 移植 μC1inux ADSP-BF533 U-Boot
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)
- 關(guān)鍵字： FSI NAND 存儲器
FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)對制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字： FSI 半導體 NAND
三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%
- 市調機構DRAMeXchange指出，2008年NAND Flash品牌廠(chǎng)商公布去年第四季暨全年營(yíng)收排名出爐，SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元，市占率為40.4％，蟬聯(lián)第一寶座 觀(guān)察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化，2007年品牌廠(chǎng)商全年營(yíng)收約為133億6千8百萬(wàn)美元，2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元，年營(yíng)收下跌14.6％，2008年平均銷(xiāo)售價(jià)格較2007年下跌63％。 Toshiba以全年營(yíng)收為32億5百萬(wàn)美元，市占率28.1％排名居次，比2007年的
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩
- 12月25日消息，據臺灣媒體報道，NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐，終止先前下跌趨勢，至少都以平盤(pán)以上開(kāi)出，主流規格晶片漲幅更在16%以上，隨價(jià)格回穩走揚，將有助創(chuàng )見(jiàn)、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價(jià)損失壓力。 業(yè)者指出，這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩，主要是反應日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益，隨晶片廠(chǎng)對力保價(jià)格不跌有了堅定共識，也意味NAND Flash回穩態(tài)勢已逐步確立。 根據集邦科技昨日最新報價(jià)，NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤(pán)以上開(kāi)出，其中以16Gb主流規格
- 關(guān)鍵字： NAND
東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量
- 東芝宣布，削減30%的閃存芯片產(chǎn)量，以應對需求降低，庫存增加的考驗。 東芝還說(shuō)，位于日本四日市的四家工廠(chǎng)本月將停工17天，以降低內存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。 東芝在一份聲明中說(shuō)：“全球經(jīng)濟不景氣以及消費低迷正在對半導體需求產(chǎn)生嚴重沖擊。尤其是NAND閃存芯片，由于使用這種芯片的MP3播放器供應過(guò)剩，其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形，決 定降低四日市工廠(chǎng)的產(chǎn)量。” 東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠(chǎng)以及兩家200毫米晶圓工廠(chǎng)。300毫米晶圓廠(chǎng)將停工
- 關(guān)鍵字： NAND
半導體巨頭推動(dòng)工藝研發(fā) 三個(gè)陣營(yíng)角力
- 國務(wù)院發(fā)展研究中心國際技術(shù)經(jīng)濟所研究員吳康迪 遵循“摩爾定律”的指引，全球半導體巨頭正邁向32納米工藝；不過(guò)，其研發(fā)策略卻各不相同。 全球32納米芯片微細技術(shù)開(kāi)發(fā)主要有3個(gè)陣營(yíng)，參加單位數目最多的是IBM陣營(yíng)，其次是英特爾公司，第三是日本公司，此外還有中國臺灣地區的臺積電、歐洲比利時(shí)微電子中心IMEC等。 英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先 2007年9月，英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開(kāi)發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
- 關(guān)鍵字： 32納米 英特爾 NAND
東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%
- 北京時(shí)間12月16日消息，據國外媒體報道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經(jīng)濟下滑，打擊數碼相機和便攜式音樂(lè )播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。 需求重挫加上產(chǎn)能過(guò)剩，造成半導體價(jià)格直落，令東芝芯片業(yè)務(wù)上半會(huì )計年度出現虧損。 首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為：“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項利好消息，但因為整體市場(chǎng)需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價(jià)格。在出現復蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動(dòng)。&r
- 關(guān)鍵字： NAND
東芝與SanDisk明年NAND閃存產(chǎn)量將減少30%
- 北京時(shí)間12月16日消息，據國外媒體報道，日本東芝與美國SanDisk公司周二表示，因全球經(jīng)濟下滑，打擊數碼相機和便攜式音樂(lè )播放器的芯片需求，1月起將減少NAND快閃記憶體(閃存)30%產(chǎn)量。 需求重挫加上產(chǎn)能過(guò)剩，造成半導體價(jià)格直落，令東芝芯片業(yè)務(wù)上半會(huì )計年度出現虧損。 首爾HI投資證券分析師Song Myung-sup認為：“東芝與SanDisk減產(chǎn)是項利好消息，但因為整體市場(chǎng)需求疲弱，單單如此還不足以提振NAND的價(jià)格。在出現復蘇前得先清出庫存，而這要有需求才能帶動(dòng)。&r
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝 SanDis
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