IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內遭遇技術(shù)極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機械硬盤(pán)，結果選出了兩個(gè)最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。

　　PCRAM我們偶爾會(huì )有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個(gè)單元內能保存多個(gè)比特，因此存儲密度和成本都有望優(yōu)于機械硬盤(pán)。三星已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)相變存儲芯片，Intel和意法半導體聯(lián)合投資的Numonyx也很看重該技術(shù)，但其最大的劣勢是功耗較高。

　　STTRAM類(lèi)似于磁性RAM，基于電子自旋理論，通過(guò)調整磁性隧道結的平行與反平行方向來(lái)使用旋偏振電流讀寫(xiě)數據，最大特點(diǎn)就是高能效，但缺點(diǎn)是每單元只能存儲一個(gè)比特，因此容量和成本改進(jìn)空間受限，和PCRAM正好相反。

　　說(shuō)了半天，NAND閃存呢?盡管它已經(jīng)非常流行，盡管它功耗更低、訪(fǎng)問(wèn)速度更快、機械可靠性更好，但單位容量成本仍是機械硬盤(pán)的將近十倍。如今一塊 500GB容量的機械硬盤(pán)大約要100美元，而按照當前速度發(fā)展，到2020年的時(shí)候雙碟2.5寸機械硬盤(pán)的容量將達到14TB，成本卻只要40美元。

　　Mark Kryder和Chang Soo kim預言，NAND閃存技術(shù)將在十年之內遭遇技術(shù)極限，取代機械硬盤(pán)就無(wú)從談起了。

　　其他非易失性技術(shù)：鐵電體RAM、磁性RAM、碳納米管RAM、電阻式RAM、銅橋RAM(Copper Bridge)、全息存儲、單電子存儲、分子存儲、聚合物存儲、賽道存儲(Racetrack Memory)、探測存儲(Probe Memory)。這些技術(shù)各有各的特色，但大都還處于理論研究或者初級試驗階段，距離大范圍實(shí)用還非常遙遠。