Intel宣布一項技術(shù)突破 內存加工工藝可縮小到5納米

　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱(chēng),這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節省成本.

　　英特爾研究員和內存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說(shuō),這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個(gè)內存類(lèi).

　　This image shows phase-change memory built atop a conventional CMOS microchip. Memory cells can be controlled using rows and columns of wires that lead through the chip.

　　(Credit: Intel)

　　簡(jiǎn)單地說(shuō),這個(gè)技術(shù)能夠使DRAM內存和存儲結合為一個(gè)高速的、高帶寬的架構.但是,這個(gè)飛躍還有很長(cháng)的路要走.基于本周三宣布的這種技術(shù)的產(chǎn)品還要等許多年才能出現.

　　Fazio和Numonyx公司高級技術(shù)研究員Greg Atwood解釋的這項技術(shù)突破稱(chēng)作PCMS(相變內存與開(kāi)關(guān))的相變內存(PCM)技術(shù)的一個(gè)進(jìn)步.這種技術(shù)能夠在同一個(gè)基本的硫族(元素)化物材料商創(chuàng )建薄膜內存單元機器控制薄膜選擇器,并且在一個(gè)交叉點(diǎn)架構上把這些元件組合在一起.

　　這種新的相變技術(shù)也許有一天會(huì )把你的內存和存儲融合為一個(gè)幸福的家庭.

　　這種新的薄膜選擇器名為雙向閾值開(kāi)關(guān),允許把多層的內存/選擇器層放在一個(gè)CMOS基礎上,以創(chuàng )建高密度、高帶寬的PCM內存.

　　這種多層堆疊是這個(gè)目標.本周三宣布的技術(shù)突破是一種可工作的64MB單層版本的這種新的內存架構.英特爾將在今年12月在馬里蘭州巴爾迪摩舉行的國際電子設備大會(huì )上發(fā)表一篇論文,正式介紹這種內存架構.

　　不過(guò),這些多層的新內存目前正在設計圖版上.正如Atwood說(shuō)的那樣,第一次是難度最大的一層.