東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線(xiàn)，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。

　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應用于手機及數字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進(jìn)行相應的技術(shù)升級。目前，東芝已向荷蘭半導體微影系統大廠(chǎng)ASML訂購設備，預計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過(guò)同類(lèi)電氣機器指數0.8%的漲幅。

　　而東芝與其它半導體廠(chǎng)商20納米制程閃存的開(kāi)發(fā)，也可望于未來(lái)兩年內開(kāi)始量產(chǎn)。