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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線(xiàn)
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉換 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管 碳化硅 SiC
安森美：緊握第三代半導體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(cháng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jì)都超預期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(cháng)約 50%，在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(cháng) 35%，創(chuàng ) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現創(chuàng )紀錄 收入。安森美大中華區銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
- 關(guān)鍵字： 安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
SiC 長(cháng)期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(cháng)期供貨協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： SiC
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過(guò)去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結構沒(méi)有考慮所有這些非線(xiàn)性因素?，F在，通過(guò)引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
SiC MOSFET用于電機驅動(dòng)的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無(wú)槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類(lèi)型中。這些電機需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng )了新的機會(huì )。在我們的傳統印象中，電機驅動(dòng)系統往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
SiC是否會(huì )成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(cháng)比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長(cháng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強問(wèn)題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場(chǎng)全方位戰略已擴大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊鳶i
- 關(guān)鍵字： SIC，液晶，半導體
Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門(mén)極驅動(dòng)器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，新驅動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以?xún)鹊?2mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門(mén)極驅動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅動(dòng)器還具有高
- 關(guān)鍵字： Power Integrations 短路保護 SiC IGBT模塊 門(mén)極驅動(dòng)器
“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng )新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節能潛力可為實(shí)現長(cháng)期的全球節能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個(gè)人電子設備等應用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓?xiě)眯阅苷?，怎么做到的？寬禁帶材料的?yōu)勢主要體現在：? 與傳統的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
三菱電機將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導體
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開(kāi)始供應。公開(kāi)消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠(chǎng)。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 安世 SiC 功率半導體
理想自研芯片進(jìn)展曝光：在新加坡設立辦公室，團隊規模已超160人
- 11 月 21 日消息，據晚點(diǎn) LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片，和用于驅動(dòng)電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱(chēng)，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專(zhuān)家、SiC 功率模塊設計專(zhuān)家、SiC 功率模塊工藝專(zhuān)家和 SiC 功率模塊電氣設計專(zhuān)家。報道還稱(chēng)，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
- 關(guān)鍵字： 理想 自研芯片 新能源汽車(chē) 智能駕駛 AI 推理芯片 驅動(dòng)電機 控制器 SiC 功率芯片。
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶(hù)在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領(lǐng)域實(shí)現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線(xiàn)列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
三菱電機和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導體
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開(kāi)發(fā)SiC芯片，通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會(huì )社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)正在全球范圍內擴大，并有助于推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 安世 SiC
電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日，株式會(huì )社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(cháng)期穩定采購。關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱(chēng)，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數股權進(jìn)行過(guò)討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機會(huì )，同時(shí)也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
- 關(guān)鍵字： 電裝 SiC
應對汽車(chē)檢測認證機構測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
- _____近年來(lái)，在國家“雙碳”戰略指引下，汽車(chē)行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車(chē)滲透率已經(jīng)超過(guò)25%。汽車(chē)電動(dòng)化浪潮中，半導體增量主要來(lái)自于功率半導體，根據 Strategy Analytics，功率半導體在汽車(chē)半導體中的占比從傳統燃油車(chē)的21%提升至純電動(dòng)車(chē)的55%，躍升為占比最大的半導體器件。同其他車(chē)用電子零部件一樣，車(chē)規級功率半導體也須通過(guò)AEC-Q100認證規范所涵蓋的7大類(lèi)別41項測試要求。對于傳統的硅基半導體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)檢測認證 泰克 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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