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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息，當地時(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠(chǎng)——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠(chǎng)位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠(chǎng)已有一些長(cháng)晶爐設備進(jìn)場(chǎng)，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠(chǎng)的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
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近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增
- 隨著(zhù)近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因為最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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如何通過(guò)SiC增強電池儲能系統？
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。圖1：BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC 電池儲能
SiC是如何「拯救」降價(jià)車(chē)企的？
- 進(jìn)入 2024 年，10 多家車(chē)企紛紛宣布降價(jià)。車(chē)企給供應商的降價(jià)壓力更大，普遍要求降價(jià) 20%，過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀(guān)點(diǎn)認為，車(chē)市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降，但從大背景來(lái)看，2 月銷(xiāo)量下滑，或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看，成本的下降確實(shí)會(huì )緩解降價(jià)的壓力，SiC（碳化硅）會(huì )不會(huì )是出路呢？降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日，可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的，從 2 月 19 日到 3 月 6 日，在春節假期結束后的 17 天里，比亞迪密集推出了 13 款主力車(chē)型的
- 關(guān)鍵字： SiC
納微半導體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì )展中心舉辦的亞洲充電展，邀請觀(guān)眾造訪(fǎng)由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著(zhù)全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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納芯微推出基于創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車(chē)載通信方案，NCA1462-Q1在滿(mǎn)足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標準，可實(shí)現≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專(zhuān)利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò )多節點(diǎn)連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進(jìn)電機應用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機應用（如高轉速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開(kāi)發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問(wèn)題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅動(dòng)器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線(xiàn)電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機應用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開(kāi)發(fā)平
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化
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內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠(chǎng)智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度，在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設備旁邊導入先進(jìn)信息通信設備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線(xiàn)的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)的智能化如今，從汽車(chē)、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠(chǎng)，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和
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安森美碳化硅技術(shù)專(zhuān)家“把脈”汽車(chē)產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰，但我們看到了不少閃光點(diǎn)，比如AIGC的熱潮、汽車(chē)電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專(zhuān)家牛嘉浩先生為大家帶來(lái)了他對過(guò)去一年的經(jīng)驗總結和對新一年的展望期盼。汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰在過(guò)去一年中，汽車(chē)芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化，可能是汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車(chē)制造商需要不斷調整生產(chǎn)和采購策略以應對潛在的風(fēng)險和瓶頸。隨著(zhù)更多傳統車(chē)企和新興造車(chē)勢力進(jìn)入新能源汽車(chē)市場(chǎng)，競爭壓力加大，汽車(chē)制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字： 智能電源 智能感知 汽車(chē)領(lǐng)域 SiC
意法半導體:SiC新工廠(chǎng)今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿(mǎn)足井噴市場(chǎng)需求
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機遇和新挑戰？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開(kāi)》專(zhuān)題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠(chǎng)今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半：據《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調研白皮書(shū)》統計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅車(chē)型又新增了40多款，預計明年部分
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC
臻驅科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區新明路南側建造廠(chǎng)房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車(chē)驅動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
- 關(guān)鍵字： 功率模塊 碳化硅 SiC
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設計性能
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車(chē)
SiC生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(cháng)仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(cháng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩定性，這導致生長(cháng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類(lèi)型。其典型結構可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數目；另一類(lèi)是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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