基于FPGA的存儲解決方案——外部SRAM
優(yōu)點(diǎn)
外部SRAM存儲器提供比片內存儲器更大的存儲容量,速度也相當快,但是略遜于片內存儲器。常用的外部SRAM的容量可達128KB至10MB。特殊的SRAM可以具有更小或更大的容量。SRAM通常是具有很低的反應時(shí)間和高吞吐量的設備,由于是通過(guò)共享的雙向總線(xiàn)連接到FPGA上,外部SRAM的速度較片上存儲器略低。SRAM的接口很簡(jiǎn)單,這使得將SRAM連接到FPGA成為一項簡(jiǎn)單的設計工作。你還可以使用多個(gè)外部SRAM共享總線(xiàn),甚至使用不同種類(lèi)外部存儲器,比如閃存或SDRAM。
缺點(diǎn)
在基于FPGA的嵌入系統中使用外部SRAM的主要缺點(diǎn)就是成本高以及占用板上空間。SRAM設備要比其它高容量的存儲器諸如SDRAM,每MB的平均售價(jià)更昂貴。而且SRAM也比SDRAM和“零空間”的FPGA片內存儲器平均每MB占用更多的板上空間。
最佳應用場(chǎng)合
外部SRAM作為存儲中等大小的數據模塊的緩沖表現良好??梢允褂猛獠縎RAM作為不適合片內存儲器且反應時(shí)間又低于SDRAM的數據緩存。還可以將多個(gè)SRAM相組合以增加容量。
SRAM也是隨機尋址數據的最佳選擇。很多SRAM器件都可以存取無(wú)序地址的數據,反應時(shí)間與存取有序地址的數據一樣短,而SDRAM在這一點(diǎn)上做得并不好。SRAM是大型LUT的理想存儲器種類(lèi),能夠儲存諸如對于片內存儲器來(lái)說(shuō)過(guò)于巨大的色彩轉換運算法則數據。
外部SRAM作為執行存儲器為無(wú)緩存的CPU工作時(shí)表現相對良好。當CPU沒(méi)有緩存來(lái)緩沖其它種類(lèi)存儲器的高反應時(shí)間時(shí),外部SRAM的低反映時(shí)間特性有助于改善CPU的性能。
不適于應用場(chǎng)合
外部SRAM不適用的系統包括:需要使用大數據量存儲器的系統和成本受限的系統。如果系統需求一個(gè)大于10MB的存儲模塊,設計者將更傾向于考慮其它種類(lèi)的存儲器,比如更低廉的SDRAM。
外部SRAM的種類(lèi)
有多種SRAM器件可供選擇。最常見(jiàn)的種類(lèi)如下:
異步SRAM – 由于其不依靠時(shí)鐘,所以是最慢的一種SRAM。
同步SRAM(SSRAM)– 同步SRAM運行同步于一個(gè)時(shí)鐘信號 。同步SRAM的速度比異步SRAM快,但是也更昂貴。
偽SRAM – 偽SRAM(PSRAM)是指具有SSRAM接口的動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)
零總線(xiàn)周轉時(shí)間SRAM –零總線(xiàn)周轉時(shí)間SRAM(ZBT SRAM)從讀到寫(xiě)的轉換需要零個(gè)時(shí)鐘周期,這使得它的反應時(shí)間很短。ZBT SRAM通常需要一個(gè)專(zhuān)用的控制器使其低反應時(shí)間的優(yōu)勢發(fā)揮出來(lái)。
注意事項
為使外部SRAM器件達到出最佳性能,建議遵循以下原則:
使用與連接的主系統控制器的接口數據帶寬相同的SRAM。
如果管腳使用或板上空間的限制高于系統性能要求,可以使用較連接的控制器的數據帶寬小一些的SRAM設備,以便減少管腳數量并減少PCB板上可能的存儲器數量。然而,這種變化將導致降低SRAM接口的性能。
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