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finfet 文章 進(jìn)入finfet技術(shù)社區
FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實(shí)現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本，滿(mǎn)足車(chē)載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求，因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長(cháng)的潛力，已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出，隨著(zhù)先進(jìn)制程發(fā)展，該公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)有兩大重點(diǎn)方向，一是電晶體與導線(xiàn)技術(shù)，另一個(gè)是圖形制作與檢測技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示，從28奈米到20奈米，甚至發(fā)展至16/14奈
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AMD終于用上了FinFET工藝
- 這么多年，新工藝一直是AMD的痛點(diǎn)。早年自己生產(chǎn)進(jìn)展跟不上，現在拆分出去了GlobalFoundries更是回回炸雷，臺積電都跑去抱蘋(píng)果的大腿了，導致其CPU還是停留在32nm，APU和GPU也仍是28nm。 不過(guò)在昨日的財務(wù)會(huì )議上，AMDCEOLisaSu興奮地透露，其首批兩款基于FinFET新工藝的芯片已經(jīng)完成了流片，進(jìn)展順利，接下來(lái)就可以去投產(chǎn)了。 她并沒(méi)有說(shuō)具體是哪兩款產(chǎn)品(估計會(huì )是新架構ZenCPU和下一代的APU)，甚至至今不肯提及代工伙伴是誰(shuí)，臺積電16nm、GF14nm都有
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探秘大基金，下一個(gè)投資目標瞄準了誰(shuí)？
- 自去年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱(chēng)大基金)成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務(wù)。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金的傳言不絕于耳。更有業(yè)者擔心大基金的投資會(huì )不會(huì )遍地開(kāi)花，甚至會(huì )毀了中國整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)。據最接近大基金的業(yè)內資深人士透露，這個(gè)擔心是多余的，大基金的“國家戰略+市場(chǎng)化運營(yíng)”的機制以及股權投資基金業(yè)的游戲規則決定了它不會(huì )這么干! 市場(chǎng)上的私募股權投資基金不勝枚舉，大基金之所以吸引眼球，無(wú)非是它有了
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哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！
- 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀(guān)念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠(chǎng)，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點(diǎn)采用
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GLOBALFOUNDRIES為下一代芯片設計而強化了14nm FinFET的設計架構
- GLOBALFOUNDRIES，世界先進(jìn)半導體制造技術(shù)的領(lǐng)導者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術(shù)而開(kāi)發(fā)的強化過(guò)的設計架構，在幫助那些采用先進(jìn)工藝技術(shù)設計的客戶(hù)的進(jìn)程上達到了一個(gè)關(guān)鍵里程碑。 GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開(kāi)發(fā)出的新型設計流程，實(shí)現了從RTL到GDS的轉換。該流程包括了基于工藝技術(shù)的PDK和早期試用標準單元庫，形成一個(gè)數字設計“入門(mén)套件”，為設計人員進(jìn)行物理實(shí)
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14納米FinFET制程略勝一籌 全球晶圓代工競爭暗潮洶涌
- 雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場(chǎng)的龍頭大廠(chǎng)，但為牽就蘋(píng)果(Apple)這個(gè)大客戶(hù)，內部壓寶16納米、20納米設備可以大部互通的產(chǎn)能擴充彈性?xún)?yōu)勢，硬是將16納米FinFET制程技術(shù)訂為20納米下一棒的規劃藍圖。 反而在A(yíng)ltera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術(shù)的懷抱后，即便蘋(píng)果仍可喂飽臺積電先進(jìn)制程產(chǎn)能，但臺積電客戶(hù)結構從以IC設計公司為主，變成以系統廠(chǎng)獨霸半遍天，加上主要競爭對手也開(kāi)始爭取到重要
- 關(guān)鍵字： FinFET 晶圓
Synopsys Galaxy設計平臺支撐了90%的FinFET設計量產(chǎn)
- 亮點(diǎn)： Galaxy Design Platform設計平臺被用于90%的FinFET設計量產(chǎn) 強勁的平臺采用率彰顯了Synopsys在FinFET數字和定制設計實(shí)現工具領(lǐng)域內的領(lǐng)先性 所有的FinFET晶圓代工廠(chǎng)都已經(jīng)使用并認證了Galaxy Design Platform 新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場(chǎng)代碼：SNPS)日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 設計平臺支撐了90%基于FinFET設計的量產(chǎn)流
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新思科技已支援全球9成FinFET設計量產(chǎn)
- 新思科技(Synopsys)宣布，Galaxy Design Platform已支援全球9成的FinFET晶片設計量產(chǎn)投片，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導廠(chǎng)商運用這個(gè)平臺，成功完成超過(guò)100件FinFET投片。 格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子等晶圓廠(chǎng)已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶(hù)如Achronix、創(chuàng )意電子(Global Unichip Corporation)、海思半導體(H
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Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢
- 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導廠(chǎng)商運用這個(gè)平臺，成功完成超過(guò)100件FinFET投片。 包括格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIE)、英特爾晶圓代工(Intel Custom Foundry)、三星電子(Samsung)等晶圓廠(chǎng)已經(jīng)利用Galaxy Design Platform為彼此之共同客戶(hù)如Achronix、創(chuàng )意電
- 關(guān)鍵字： Synopsys FinFET
聯(lián)電14納米 下季試產(chǎn)
- 聯(lián)電積極擴充28奈米產(chǎn)能，預計今年中月產(chǎn)能可達2萬(wàn)片，28奈米毛利率將達平均水準。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線(xiàn)，預計第2季進(jìn)行第2代14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶(hù)產(chǎn)品陸續完成設計定案(tape out)，明年將開(kāi)始拉升產(chǎn)能進(jìn)入量產(chǎn)階段。 聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶(hù)晶片進(jìn)入量產(chǎn)，并有逾10家客戶(hù)完成設計定案并展開(kāi)試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營(yíng)收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進(jìn)行擴產(chǎn)，預估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴
- 關(guān)鍵字： 臺積電 三星 FinFET
Cadence與海思在FinFET設計領(lǐng)域擴大合作
- 益華電腦(Cadence Design Systems)宣布，已與通訊網(wǎng)路與數位媒體晶片組供應商海思半導體(HiSilicon Technologies)已經(jīng)簽署合作協(xié)議，將于16奈米 FinFET 設計領(lǐng)域大幅擴增采用Cadence 數位與客制/類(lèi)比流程，并于10奈米和7奈米制程的設計流程上密切合作。 海思半導體也廣泛使用Cadence數位和客制/類(lèi)比驗證解決方案，并且已經(jīng)取得Cadence DDR IP與Cadence 3D-IC 解決方案授權，將于矽中介層基底(silicon interp
- 關(guān)鍵字： Cadence 海思 FinFET
finfet介紹
FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長(cháng)已可小于25奈米，未來(lái)預期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類(lèi)頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]
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