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英特爾Finfet晶體管架構未到瓜熟蒂落時(shí)
- 自從Intel正式對外公布22nm制程節點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠(chǎng)最近紛紛表態(tài)稱(chēng)芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(至少到下一個(gè)節點(diǎn)制程時(shí))仍將采用傳統基于平面型晶體管結構的技術(shù)。他們給出的理由是，Intel手上只有少數幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實(shí)現到Finfet的晶體管架構升遷時(shí)，在芯片設計與制造方面需要作出的改動(dòng)相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
- 關(guān)鍵字： 臺積電 Finfet
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FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長(cháng)已可小于25奈米，未來(lái)預期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類(lèi)頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]
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