【IITC/AMC 2016】5nm工藝IC布線(xiàn)技術(shù)發(fā)展方向明確

　　由IEEEElectronDeviceSociety主辦的半導體互連(布線(xiàn))技術(shù)相關(guān)國際會(huì )議“IEEEInternationalInterconnectTechnologyConference(IITC)2016”于5月23～26日在美國圣荷西舉辦。這是該會(huì )議時(shí)隔兩年再次回到美國，共有超過(guò)230人參加，展開(kāi)了積極的討論。

　　IITC2016的論文數量為一般口頭演講(包括主題演講)45件，展板發(fā)表33件。一般演講按領(lǐng)域劃分，涵蓋硅化物的“MUP(MaterialsandUnitProcesses)-Metal”領(lǐng)域最多，占36%，其次是“MUP-ILD(絕緣膜)”領(lǐng)域的16%，體現出了與AMC(AdvancedMetallizationConference)聯(lián)合舉辦的效果。之后依次是“ProcessIntegration”領(lǐng)域和“NovelSystems”領(lǐng)域(均為14%)、“3DSystems”領(lǐng)域(12%)、“Reliability”領(lǐng)域(9%)。按機構劃分，產(chǎn)業(yè)界占37%、大學(xué)占29%，其余為研究機構。與2015年相比，產(chǎn)業(yè)界的論文有所增加，內容也大多是實(shí)現5nm工藝所需的更具現實(shí)性的技術(shù)。

　　在正式會(huì )議的前一天舉辦了工作會(huì )議，因為學(xué)會(huì )參加費包括了工作會(huì )議的費用，所以現場(chǎng)座無(wú)虛席。在會(huì )上，演講者介紹了銅布線(xiàn)的替代技術(shù)和新型輸送方式、腦型計算機等最新研究結果。在次日開(kāi)幕的正式會(huì )議上，演講者按照上述領(lǐng)域劃分，發(fā)表了論文演講。Keynote(主題演講)的內容包括ProcessIntegration、MUP-ILD、MUP-Metal、Reliability、Contact&Silicide、3DSystems。下面就來(lái)介紹一下工作會(huì )議及正式會(huì )議的演講內容。

　　討論銅布線(xiàn)替代技術(shù)和新型輸送方式等

　　在工作會(huì )議上，演講者介紹了銅布線(xiàn)替代技術(shù)和新型輸送方式、腦型計算機等的最新研究成果。美國佐治亞理工學(xué)院、東電電子和imec在演講中談到了邏輯IC未來(lái)的微細化發(fā)展。佐治亞理工學(xué)院在演講中展示了基于實(shí)際芯片設計的計算結果，結果表明，對于FinFET和FET結構的下一個(gè)最有力候選VFET(VerticalFET)，布線(xiàn)的RC延遲的影響會(huì )進(jìn)一步加大，需要設法調整布線(xiàn)結構。imec在演講中介紹了布線(xiàn)技術(shù)的發(fā)展路線(xiàn)圖，表示對于5nm工藝，Cu-RIE(Reactive-IonEtching)和半鑲嵌結構等新型銅布線(xiàn)結構的前景備受看好，而對于3nm以后的工藝，鎳(Ni)布線(xiàn)等替代金屬布線(xiàn)、新型輸送方式——碳材料(石墨烯、碳納米管等)和自旋前景光明。

　　另外，作為減少電力消耗的解決方法，佐治亞理工學(xué)院介紹了由細胞神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )與自旋組成的器件;美國加州大學(xué)伯克利分校介紹了參考生物的大腦活動(dòng)，分層次按照功能設計電路的“hyper-dimensionalcomputing”。其目的都是要在半導體上模擬生物的神經(jīng)元活動(dòng)，構建功耗比CMOS更低的系統。美國斯坦福大學(xué)就片上硅光子發(fā)表報告，介紹了激光、調制器、波導和接收器等元件的最新研究?jì)热荨?/p>

　　英特爾開(kāi)發(fā)出截至14nm節點(diǎn)的魯棒算法

　　在ProcessIntegration領(lǐng)域，英特爾、IBM、GLOBALFOUNDRIES和imec微電子研究中心等發(fā)表了演講。英特爾在主題演講和一般演講中，分別從電路設計和工藝技術(shù)的角度，介紹了魯棒算法的研究成果。主題演講中，英特爾以“Moore’sLawisnotaboutatechnology,butaneconomics”為題，強調單晶體管的單位成本還在不斷下跌，今后這一趨勢也不會(huì )改變。在介紹14nm節點(diǎn)之前的技術(shù)變遷時(shí)，英特爾表示，通過(guò)在芯片內集成有效電力和系統性變化的管理功能，該公司進(jìn)行了魯棒性的設計。在一般演講中則圍繞實(shí)現魯棒性制造的工藝技術(shù)，介紹了采用SADP(Self-AlignedDoublePatterning)取代LELE(Litho-Etch-Litho-Etch)、為降低RC延遲而改變寬高比和減薄隔膜。

　　IBM在一般演講中講解了7nm節點(diǎn)的布線(xiàn)技術(shù)，介紹了通過(guò)組合EUV(ExtremeUltraviolet)、介電常數為2.45的ULK(UltraLow-K)、鈷(Co)襯套，形成節距為36nm的雙鑲嵌結構，達成可靠性規范與低布線(xiàn)阻力的情況。還展示了用來(lái)降低介電常數的SiNO膜、用來(lái)提高可靠性的氮化技術(shù)、CVD-Cocap技術(shù)等基礎技術(shù)。而GLOBALFOUNDRIES、imec和東電電子則披露了釕(Ru)布線(xiàn)的研究成果。研究涉及隔膜、襯膜、導電體等多種用途。imec在研究中對相當于5nm節點(diǎn)的布線(xiàn)結構進(jìn)行了電阻率及可靠性驗證，得到的結果是優(yōu)于銅布線(xiàn)。

　　對于實(shí)際芯片電路上TDDB的新解釋

　　絕緣膜TDDB(Time-Dependent-Dielectric-Breakdown，隨時(shí)間的擊穿特性)通常是根據加速實(shí)驗的結果，通過(guò)回歸曲線(xiàn)定義實(shí)際工作電壓下的壽命。但隨著(zhù)絕緣膜開(kāi)始采用ULK，各公司爭相提出“Emodel”、“Root-Emodel”、“PowerEmodel”等定義，展開(kāi)了激烈的爭論。

　　臺積電將目光鎖定在加速電壓與實(shí)際工作電壓下TDDB測試的行為差異，作出了新的解釋。該公司注意到，實(shí)際工作電壓下不僅存在加速電壓下可以觀(guān)察到的缺陷成核，還存在表示缺陷正在生長(cháng)的漏電流遷移。通過(guò)求出缺陷生長(cháng)時(shí)間與電壓的相關(guān)關(guān)系，該公司發(fā)現，在實(shí)際電路中的TDDB壽命遠長(cháng)于傳統加速試驗得到的預測壽命。

　　圍繞TSV和器件展開(kāi)熱烈討論

　　在3DSystems領(lǐng)域，除了關(guān)于TSV(ThroughSiliconVia)的內容外，還有關(guān)于轉接板、3D存儲器等器件的發(fā)表。對于TSV技術(shù)，東電電子介紹了使用納米焦點(diǎn)X射線(xiàn)檢查設備觀(guān)察TSV內的孔穴、基于建庫的自動(dòng)分類(lèi)技術(shù)。

　　美國德克薩斯州大學(xué)奧斯汀分校對通孔直徑不同的樣品進(jìn)行實(shí)驗的結果顯示，縮小TSV直徑并沒(méi)有達到提高可靠性的預期效果。美國B(niǎo)roadPak公司在關(guān)于2.5D/3D的演講中介紹稱(chēng)，降低Si轉接板成本的關(guān)鍵，在于降低TSV曝光和金屬嵌入工序的成本。

　　碳材料與自旋研究進(jìn)展顯著(zhù)，課題趨于明確

　　關(guān)于曾經(jīng)在IITC上討論過(guò)的“BeyondCu”主題，隨著(zhù)研究的進(jìn)展，各項技術(shù)的實(shí)用化課題逐漸明確。關(guān)于碳材料，在本屆會(huì )議上，imec和法國CEA-Leti研究中心通過(guò)計算和實(shí)驗結果，展示了碳材料的潛力。特別是石墨烯，計算結果顯示，以10nm寬的細線(xiàn)進(jìn)行比較，10層的多層石墨烯布線(xiàn)能夠實(shí)現優(yōu)于銅布線(xiàn)的RC延遲。

　　佐治亞理工學(xué)院和imec分別在工作會(huì )議上發(fā)表演講，指出了石墨烯存在的接觸電阻與單層電阻高、邊緣平滑度、基板造成的影響、維持平均自由程等課題。佐治亞理工學(xué)院表示，基于自旋的布線(xiàn)技術(shù)存在弛豫時(shí)間隨微細化變短的課題，需要采用新型電路方式。這些課題都是首次在IITC上提出，隨著(zhù)相關(guān)研究的進(jìn)展，實(shí)現的可能性估計會(huì )不斷攀升。

　　下屆(2017年)IITC將首次在臺灣舉辦，將于5月16日～18日期間在新竹市的國賓大飯店舉辦。