才攻破7nm 三星宣布5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限！

　　在美國舉行的三星工藝論壇SFF 2018 USA之上，三星更是宣布將連續進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝，直逼物理極限!

　　7LPP (7nm Low Power Plus)

　　三星將在7LPP工藝上首次應用EUV極紫外光刻技術(shù)，預計今年下半年投產(chǎn)。關(guān)鍵IP正在研發(fā)中，明年上半年完成。

　　5LPE (5nm Low Power Early)

　　在7LPP工藝的基礎上繼續創(chuàng )新改進(jìn)，可進(jìn)一步縮小芯片核心面積，帶來(lái)超低功耗。

　　4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

　　最后一次應用高度成熟和行業(yè)驗證的FinFET立體晶體管技術(shù)，結合此前5LPE工藝的成熟技術(shù)，芯片面積更小，性能更高，可以快速達到高良率量產(chǎn)，也方便客戶(hù)升級。

　　3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)

　　Gate-All-Around就是環(huán)繞柵極，相比于現在的FinFET Tri-Gate三柵極設計，將重新設計晶體管底層結構，克服當前技術(shù)的物理、性能極限，增強柵極控制，性能大大提升。

　　三星的GAA技術(shù)叫做MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應管)，正在使用納米層設備開(kāi)發(fā)之中。

　　大家可能以為三星的工藝主要用來(lái)生產(chǎn)移動(dòng)處理器等低功耗設備，但其實(shí)在高性能領(lǐng)域，三星也準備了殺手锏，大規模數據中心、AI人工智能、ML機器學(xué)習，7LPP和后續工藝都能提供服務(wù)，并有一整套平臺解決方案。

　　比如高速的100Gbps+ SerDes(串行轉換解串器)，三星就設計了2.5D/3D異構封裝技術(shù)。

　　而針對5G、車(chē)聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的低功耗微控制器(MCU)、下代聯(lián)網(wǎng)設備，三星也將提供全套完整的交鑰匙平臺方案，從28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君選擇。