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4nm 文章 進(jìn)入4nm技術(shù)社區
臺積電重申1.4nm級工藝技術(shù)不需要高數值孔徑EUV
- 臺積電在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術(shù)研討會(huì )上重申了其對下一代高數值孔徑 EUV 光刻工具的長(cháng)期立場(chǎng)。該公司的下一代工藝技術(shù)不需要這些最高端的光刻系統，包括 A16（1.6 納米級）和 A14（1.4 納米級）工藝技術(shù)。為此，TSMC 不會(huì )為這些節點(diǎn)采用 High-NA EUV 工具?！爱斉_積電使用 High-NA 時(shí)，人們似乎總是很感興趣，我認為我們的答案非常簡(jiǎn)單，”副聯(lián)席首席運營(yíng)官兼業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷(xiāo)售高級副總裁 Kevin Zhang 在活動(dòng)中說(shuō)?！懊慨斘覀兛吹?High-NA 將提供有意義、可衡
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英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節點(diǎn)即將推出
- 4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠(chǎng)代工項目上的進(jìn)展。陳立武宣布，公司現在正在與即將推出的 14A 工藝節點(diǎn)（1.4nm 等效）的主要客戶(hù)進(jìn)行接觸，這是 18A 工藝節點(diǎn)的后續一代。英特爾已有幾個(gè)客戶(hù)計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術(shù)，稱(chēng)為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節點(diǎn)現在處于風(fēng)險生產(chǎn)階段，預計今年晚
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臺積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節點(diǎn)優(yōu)勢2028年推出
- 臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著(zhù)的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會(huì )上，該公司透露，新節點(diǎn)將依賴(lài)其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過(guò) NanoFlex Pro 技術(shù)提供進(jìn)一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進(jìn)入量產(chǎn)，但沒(méi)有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本?！癆14 是我們的全節點(diǎn)下一代先進(jìn)芯片技術(shù)，”臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷(xiāo)售高級副總
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搶單失敗，高通4nm訂單未選擇三星
- 移動(dòng)處理器大廠(chǎng)高通（Qualcomm）計劃推出一款新的4納米高端芯片組，雖然定位低于旗艦級的Snapdragon 8 Elite，但性能依然備受市場(chǎng)關(guān)注。 最新消息指出，這款可能命名為Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍?xún)A向于與老伙伴臺積電合作，而非選擇三星代工。追蹤三星相關(guān)消息的南韓科技媒體SamMobile報導，盡管三星的4納米制程已經(jīng)通過(guò)測試，也經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗證，看似有搶單的機會(huì )，然而高通似乎仍對三星持保留態(tài)度，最終還是決定交由臺積電獨家代工這款新芯片。其實(shí)三星早在2021年就以第
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高通驍龍 8s 至尊版芯片曝光：安兔兔跑分逼近 200 萬(wàn)
- 3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平臺發(fā)布推文，分享了高通驍龍 8s 至尊版芯片的更多細節，并透露該芯片的各項配置更接近于驍龍 8s Gen 3 芯片。援引博文介紹，高通驍龍 8s 至尊版采用 4nm 制程工藝，沒(méi)有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：驍龍8s Gen 38s Elite8 Elite節點(diǎn)4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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臺積電美國廠(chǎng)4nm芯片生產(chǎn)進(jìn)入最后階段
- 知情人士稱(chēng)，蘋(píng)果在臺積電美國亞利桑那州工廠(chǎng)（Fab 21）生產(chǎn)的4nm芯片已進(jìn)入最后的質(zhì)量驗證階段，英偉達和AMD也在該廠(chǎng)進(jìn)行芯片試產(chǎn)。不過(guò)，臺積電美國廠(chǎng)尚不具備先進(jìn)封裝能力，因此芯片仍需運回臺灣封裝。有外媒在最新的報道中提到，去年9月份就已開(kāi)始為蘋(píng)果小批量代工A16仿生芯片的臺積電亞利桑那州工廠(chǎng)，目前正在對芯片進(jìn)行認證和驗證。一旦達到質(zhì)量保證階段，預計很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度開(kāi)始向蘋(píng)果設備供貨?！?臺積電亞利桑那州晶圓廠(chǎng)項目工地，圖源臺積電官方臺積電位于亞利桑那州的在美晶圓廠(chǎng)項目
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臺積電美國工廠(chǎng)明年開(kāi)產(chǎn)4nm芯片：你買(mǎi)安卓、蘋(píng)果產(chǎn)品可能要多付30%
- 12月30日消息，據國外媒體報道稱(chēng)，臺積電亞利桑那工廠(chǎng)將于2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)4nm工藝，蘋(píng)果、英偉達、AMD 和高通等客戶(hù)將成為主要受益者。不過(guò)，對于消費者來(lái)說(shuō)就不那么友好了，因為如果真是這樣的話(huà)，那么大家要承擔30%漲價(jià)。為什么這么說(shuō)？報道中提到，臺積電的4nm工藝將在亞利桑那州工廠(chǎng)的一期（1A）廠(chǎng)區投產(chǎn)，但生產(chǎn)成本預計將比現有的高出30%，這是美國客戶(hù)需要考慮的問(wèn)題。據悉，該工廠(chǎng)將負責4nm生產(chǎn)，但這是第一階段的計劃，因為在第二階段，臺積電計劃在2028年量產(chǎn)2nm，盡管目前這還有點(diǎn)不確定。按照
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臺積電美國晶圓廠(chǎng)4nm試產(chǎn)良率已與在臺工廠(chǎng)相近
- 據彭博社援引消息稱(chēng)，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠(chǎng)項目首座工廠(chǎng)4nm產(chǎn)線(xiàn)的試產(chǎn)良率已與臺積電位于臺灣地區的南科廠(chǎng)良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。根據此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠(chǎng)在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線(xiàn)的架設，并開(kāi)始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測試晶圓的生產(chǎn)，而根據彭博社最新的報道來(lái)看，基于該生產(chǎn)線(xiàn)的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠(chǎng)良率相當，那么表明其后續如果量產(chǎn)，良率將不是問(wèn)題。根據規劃，臺積電將在美國亞利
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高通入門(mén)級驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz
- 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動(dòng)平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門(mén)級市場(chǎng)，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設計，包括2個(gè)最高可達2.0GHz的A78內核和6個(gè)A55內核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍牙5.1、5G NR，以及最高8400萬(wàn)像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時(shí)兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運行內存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數有所降低，例如CPU大核主頻從2
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4nm→2nm，三星或升級美國德州泰勒晶圓廠(chǎng)制程節點(diǎn)
- 根據韓國媒體Etnews的報導，晶圓代工大廠(chǎng)三星正在考慮將其設在美國德州泰勒市的晶圓廠(chǎng)制程技術(shù)，從原計劃的4納米改為2納米，以加強與臺積電美國廠(chǎng)和英特爾的競爭。消息人士稱(chēng)，三星電子最快將于第三季做出最終決定。報導指出，三星的美國德州泰勒市晶圓廠(chǎng)投資于2021年，2022年開(kāi)始興建，計劃于2024年底開(kāi)始分階段運營(yíng)。以三星電子DS部門(mén)前負責人Lee Bong-hyun之前的說(shuō)法表示，到2024年底，我們將開(kāi)始從這里出貨4納米節點(diǎn)制程的產(chǎn)品。不過(guò)，相較于三星泰勒市晶圓廠(chǎng)，英特爾計劃2024年在亞利桑那州和俄亥
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域
- IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當地時(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回擊了此前的媒體傳聞。三星表示其 1.4nm 級工藝準備工作進(jìn)展順利，預計可于 2027 年在性能和良率兩方面達到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過(guò)材料和結構方面的創(chuàng )新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認，其仍計劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統的
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩定領(lǐng)先
- 這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現在又重申了這一路線(xiàn)，尤其是意欲通過(guò)未來(lái)的14A 1.4nm級工藝，在未來(lái)鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實(shí)現其“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現大規模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續發(fā)布，其中前者首次采用純E核設計，最多288個(gè)。In
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三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝
- 5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬(wàn)億韓元（當前約 52.8 億元人民幣）的預訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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臺積電計劃 2025 年推出 N4C 工藝，相比 N4P 成本最高降幅 8.5%
- IT之家 4 月 26 日消息，臺積電近日展示了全新 4nm 級別生產(chǎn)工藝 N4C，通過(guò)顯著(zhù)降低成本和優(yōu)化設計能效，進(jìn)一步增強 5nm 級別生產(chǎn)工藝。臺積電公司近日舉辦了 2024 北美技術(shù)研討會(huì )，IT之家翻譯該公司業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總裁張凱文內容如下：我們的 5nm 和 4nm 工藝周期還未結束，從 N5 到 N4，光學(xué)微縮密度改進(jìn)了 4%，而且我們會(huì )繼續增強晶體管性能。我們現在為 4nm 技術(shù)陣容引入 N4C 工藝，讓我們的客戶(hù)能夠消除一些掩模并改進(jìn)標準單元和 SRAM 等原始 IP 設計，以進(jìn)一步
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4nm介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條4nm!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對4nm的理解，并與今后在此搜索4nm的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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