臺積電美國晶圓廠(chǎng)4nm試產(chǎn)良率已與在臺工廠(chǎng)相近

據彭博社援引消息稱(chēng)，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠(chǎng)項目首座工廠(chǎng)4nm產(chǎn)線(xiàn)的試產(chǎn)良率已與臺積電位于臺灣地區的南科廠(chǎng)良率相近。臺積電在回應彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項目“正在按計劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。

根據此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠(chǎng)在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線(xiàn)的架設，并開(kāi)始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測試晶圓的生產(chǎn)，而根據彭博社最新的報道來(lái)看，基于該生產(chǎn)線(xiàn)的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠(chǎng)良率相當，那么表明其后續如果量產(chǎn)，良率將不是問(wèn)題。

根據規劃，臺積電將在美國亞利桑那州鳳凰城建設三座晶圓廠(chǎng)，其中晶圓一廠(chǎng)（Fab21）是4nm制程晶圓廠(chǎng)，晶圓二廠(chǎng)則是3nm晶圓廠(chǎng)。臺積電原計劃在2024年讓其首座亞利桑那州工廠(chǎng)全面投產(chǎn)，但由于缺乏熟練工人，將這一目標推遲到了2025年 —— 這一延遲曾引發(fā)人們擔心臺積電在美國是否能像在本部一樣高效制造芯片，晶圓二廠(chǎng)的量產(chǎn)時(shí)間也由原定的2026年推遲到了2028年。

此外，臺積電還將在亞利桑那州建設第三座晶圓廠(chǎng)，預計將在21世紀20年代底（2029-2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

據臺積電方面透露，該首座晶圓廠(chǎng)有望在今年內完成所有量產(chǎn)準備，并有望提前達到公司原定的2025年量產(chǎn)目標。這一進(jìn)展不僅將大幅提升臺積電在美國的半導體生產(chǎn)能力，還將為包括人工智能（AI）在內的高端應用提供更加強大的支持。

臺積電這三座晶圓廠(chǎng)的總投資將會(huì )達到650億美元。根據臺積電與美國商務(wù)部達成的不具約束力的初步備忘錄，后者將根據美國「芯片法案」向臺積電授予最多66億美元直接資金補貼和50億美元貸款。

值得注意的是，按照晶圓一廠(chǎng)從試產(chǎn)到量產(chǎn)約6.5個(gè)月、驗證一個(gè)月估算，臺積電有機會(huì )在今年底就完成量產(chǎn)所有準備，那么明年上半年將實(shí)現量產(chǎn)。預計屆時(shí)蘋(píng)果、英偉達、AMD、高通等美國芯片設計大廠(chǎng)都將會(huì )下單。