消息稱(chēng)三星電子已啟動(dòng)4nm制程HBM4邏輯芯片試產(chǎn)

據韓媒報道，近日，三星電子在其內存業(yè)務(wù)部已完成HBM4內存邏輯芯片的設計，且Foundry已根據該設計正式啟動(dòng)了4nm制程的試生產(chǎn)。待完成邏輯芯片的最終性能驗證后，三星電子將向客戶(hù)提供其開(kāi)發(fā)的 HBM4 內存樣品。

此前消息稱(chēng)，除采用自家4nm工藝制造邏輯芯片外，三星電子還將在HBM4上導入1c nm制程DRAM Die，以提升產(chǎn)品能效表現，也方便在邏輯芯片中引入更豐富功能支持。