英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節點(diǎn)即將推出

4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動(dòng)中亮相，概述了公司在晶圓廠(chǎng)代工項目上的進(jìn)展。

陳立武宣布，公司現在正在與即將推出的 14A 工藝節點(diǎn)（1.4nm 等效）的主要客戶(hù)進(jìn)行接觸，這是 18A 工藝節點(diǎn)的后續一代。

英特爾已有幾個(gè)客戶(hù)計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術(shù)，稱(chēng)為PowerDirect。

陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節點(diǎn)現在處于風(fēng)險生產(chǎn)階段，預計今年晚些時(shí)候將開(kāi)始量產(chǎn)。

英特爾還透露其新的 18A-P（18A 節點(diǎn)的性能版本）現在正在晶圓廠(chǎng)中運行，早期晶圓也已投產(chǎn)。

此外，英特爾官宣正在開(kāi)發(fā)新的 18A-PT 版本，該版本支持 Foveros Direct 3D，采用混合鍵合互連，使英特爾能夠在其最先進(jìn)的領(lǐng)先節點(diǎn)上垂直堆疊晶圓。

Foveros Direct 3D 技術(shù)是一個(gè)關(guān)鍵的發(fā)展，因為它提供了一種競爭對手臺積電已在生產(chǎn)中使用的功能，最著(zhù)名的是 AMD 的 3D V-Cache 產(chǎn)品。事實(shí)上，英特爾在關(guān)鍵互連密度測量方面的實(shí)現與臺積電的產(chǎn)品相匹配。

在成熟的節點(diǎn)方面，英特爾晶圓廠(chǎng)現在有了首個(gè) 16nm 量產(chǎn)晶圓，該公司現在也在與聯(lián)電合作開(kāi)發(fā) 12nm 節點(diǎn)。