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業(yè)界首款3nm數據基礎設施芯片發(fā)布

  • 近日,美國IC設計公司Marvell正式發(fā)布了基于臺積電3納米打造的資料中心芯片,而這也是業(yè)界首款3nm數據基礎設施芯片。據臺積電此前介紹,相較于5nm制程,3nm制程的邏輯密度將增加約70%,在相同功耗下速度提升10-15%,或者在相同速度下功耗降低25-30%。臺積電3納米芯片可用于新產(chǎn)品設計,包括基礎IP構建塊,112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY/CXL 3.0 SerDes和240 Tbps并行芯片到芯片互連等。照M
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Crucial英睿達P3 Plus SSD:高性?xún)r(jià)比存儲擴容方案

  • 一部4K電影就將筆記本的存儲空間占去了30%以上;《極限競速:地平線(xiàn)5》的游戲文件直接將近150G空間標紅;視頻素材、工程文件持續導入,電腦里都快裝不下了,剪輯時(shí)中甚至提示“空間不夠”…面對超高清視頻、大型游戲、影像及3D內容創(chuàng )作等更高負載需求,處理器、顯卡、內存都能做到從容不迫,卻沒(méi)想到存儲也有成為瓶頸的一天。特別是輕薄本、游戲本用戶(hù),在使用過(guò)程中更容易遇到空間不足的情況,或者頻繁進(jìn)行數據本地云端備份、遷移。若是遇到突發(fā)情況,需要導入大量數據時(shí),更是捉襟見(jiàn)肘。所以對于有內容創(chuàng )作、游戲需求的用戶(hù),在購買(mǎi)筆
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臺積電 3nm 制程工藝月產(chǎn)能逐步提升,下月有望達到 4.5 萬(wàn)片晶圓

  • 2 月 24 日消息,據外媒報道,在三星電子采用全環(huán)繞柵極晶體管架構的 3nm 制程工藝量產(chǎn)之后,臺積電仍采用鰭式場(chǎng)效應晶體管的 3nm 制程工藝,也在去年的 12 月 29 日正式開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。從外媒最新的報道來(lái)看,同臺積電此前的工藝一樣,去年 12 月份量產(chǎn)的 3nm 制程工藝,產(chǎn)能也在逐步提升,月產(chǎn)能在下月將達到 4.5 萬(wàn)片晶圓。報道稱(chēng),蘋(píng)果預訂臺積電 3nm 制程工藝量產(chǎn)初期的全部產(chǎn)能,提及臺積電這一工藝的月產(chǎn)能量時(shí)表示,將在下月達到 4.5 萬(wàn)片晶圓。不過(guò),即便臺積電 3nm 制程工藝的產(chǎn)能
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英特爾推遲向臺積電訂購3nm芯片訂單

  • 據DigiTimes報道,英特爾與臺積電在3nm制造方面的合作將推遲到2024年第四季度。近年來(lái),英特爾的制造工藝和PC平臺藍圖頻繁修改,產(chǎn)品上市延遲嚴重打亂了供應鏈的產(chǎn)銷(xiāo)計劃。如果上述報道準確,首款Arrow Lake處理器將在2024年第四季度末和2025年第一季度逐漸出貨。此前消息稱(chēng)英特爾Arrow Lake處理器采用混合小芯片構架,在GPU的芯片塊部分據稱(chēng)是采用臺積電的3nm工藝。按計劃在A(yíng)rrow Lake之前,英特爾將在今年晚些時(shí)候推出Raptor Lake-S桌面處理器,為發(fā)燒友和工作站市場(chǎng)
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蘋(píng)果可能將是臺積電3nm工藝唯一主要客戶(hù),高通聯(lián)發(fā)科尚未決定

  • 據國外媒體報道,在三星電子的3nm制程工藝量產(chǎn)近半年之后,臺積電的3nm制程工藝也已在去年12月29日正式開(kāi)始商業(yè)化量產(chǎn),為相關(guān)的客戶(hù)代工晶圓。雖然比三星3nm工藝量產(chǎn)晚了半年,但是在良率上一直被認為遠超三星。臺積電CEO劉德音還表示,相比于5nm工藝,3nm工藝的邏輯密度將增加60%,相同速度下功耗降低30-35%,這將是最先進(jìn)的工藝。有消息人士稱(chēng),臺積電3nm的主要客戶(hù)今年可能只有蘋(píng)果一家,有望在蘋(píng)果M2 Pro芯片上首次應用,后面的A17仿生芯片也會(huì )跟進(jìn)。在報道中,相關(guān)媒體也提到高通和聯(lián)發(fā)科這兩大智
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臺積電的3nm:高通不敢用了

  • 按照正常邏輯,高通下一代驍龍8 Gen3升級3nm將順利成章,但會(huì )不會(huì )繼續由口碑很好的臺積電代工,似乎還懸而未決。其中一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題在于,臺積電3nm晶圓的報價(jià)是2萬(wàn)美元/片,比5nm貴了20%。高通測算后發(fā)現,對于自己這意味著(zhù)數百萬(wàn)美元的成本增加。即便高通能接受,其下游客戶(hù)也就是手機廠(chǎng)商們很難吃得消。三星那邊雖然便宜,可還在良率提高一事上苦苦掙扎,能否盡早完成,有待觀(guān)察。
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iPhone 15 Pro首發(fā)!蘋(píng)果A17芯片要用3nm工藝

  • 今日消息,據MacRumors爆料, 蘋(píng)果在2023年發(fā)布的iPhone 15 Pro上使用了A17 Bionic,這顆芯片集于臺積電3nm工藝(N3)打造。爆料指出,臺積電3nm工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn),蘋(píng)果將會(huì )是臺積電3nm工藝最大的客戶(hù), A17 Bionic以及蘋(píng)果M2 Pro和M2 Max等芯片都是采用臺積電3nm工藝。根據臺積電說(shuō)法, 對比N5工藝,N3功耗可降低約25-30%,性能可提升10-15%,晶體管密度提升約70%。 N3工藝的SRAM單元的面積為0.
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臺積電董事長(cháng)劉德音:3nm 需求非常強勁,是世界上最先進(jìn)的半導體技術(shù)

  • IT之家 12 月 29 日消息,臺積電今日上午在臺南科學(xué)園區舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮,正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規模生產(chǎn)。據臺媒中央社報道,臺積電董事長(cháng)劉德音表示,晶圓 18 廠(chǎng)是臺積電 5 納米及 3 納米生產(chǎn)重鎮,總投資金額將達 1.86 萬(wàn)億新臺幣(約 4222.2 億元人民幣),預計將創(chuàng )造 1.13 萬(wàn)個(gè)直接高科技工作機會(huì )。另?yè)_灣地區經(jīng)濟日報報道,劉德音稱(chēng) 3 納米制程良率與 5 納米量產(chǎn)時(shí)的良率相當,是世界最先進(jìn)的半導體技術(shù),應用
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無(wú)需3nm工藝 全球首顆商用存內計算SoC問(wèn)世:功耗低至1毫安

  • 臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當前最先進(jìn)的半導體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時(shí)SRAM內存還有無(wú)法大幅微縮的挑戰,國產(chǎn)半導體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內計算SoC。存內計算是一種新型架構的芯片,相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構不同, 存內計算是計算與數據存儲一體,可以解決內存墻的問(wèn)題,該技術(shù)60年代就有提出,只是一直沒(méi)有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內計算SoC芯片,擁有高算力存內計算核,相對于NPU、DSP
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臺積電下周舉行3納米量產(chǎn)典禮 臺媒稱(chēng)宣示深耕臺灣決心

  • 日前,臺積電發(fā)出活動(dòng)通知,預計12月29日在臺南科學(xué)園區的晶圓18廠(chǎng)新建工程基地,舉行3納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮,屆時(shí)將有上梁儀式。業(yè)界認為,由于臺積電過(guò)往先進(jìn)制程量產(chǎn)罕有舉辦實(shí)體活動(dòng),此舉意義重大。據臺灣地區媒體經(jīng)濟日報報道,臺積電擴大美國投資,外派工程師赴美支援,引發(fā)“去臺化”、掏空臺灣疑慮,即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮,罕見(jiàn)以實(shí)際行動(dòng)宣示持續深耕臺灣的決心,化解外界疑慮。報道指出,相較于對手三星(Samsung)于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn),并于7月25日在京畿道華城廠(chǎng)區內盛大舉行3納米
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iPhone 14 Plus銷(xiāo)量慘淡,蘋(píng)果明年將重新劃分其功能和價(jià)格

  • IT之家 12 月 20 日消息,援引國外科技媒體 DigiTimes 報道,蘋(píng)果主要代工廠(chǎng)和碩今年 11 月度的營(yíng)收慘淡。除了消費電子行業(yè)進(jìn)入傳統淡季之外,另一個(gè)重要原因就是消費者對 iPhone 14 Plus 機型缺乏興趣,導致銷(xiāo)量明顯下降。在這篇付費文章中,DigiTimes 認為蘋(píng)果在明年推出的 iPhone 15 機型中可能會(huì )重新考慮機型組合,重新分配標準機型和 Pro 機型之間的性能差異,重新劃分它們之間的價(jià)格,不排除對 iPhone 15 Plus 進(jìn)行重大調整的可能。IT之家了解到,在文
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代工價(jià)格高達14萬(wàn)元 臺積電3nm真實(shí)性能大縮水:僅比5nm好了5%

  • 臺積電當前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm,3nm工藝因為種種原因一直推遲,9月份就說(shuō)量產(chǎn)了,又說(shuō)年底量產(chǎn),不過(guò)這個(gè)月就算量產(chǎn),真正放量也要到明年了。根據臺積電之前的消息,3nm節點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝,分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E,其中N3工藝是最早量產(chǎn)的,但是這版工藝遭到客戶(hù)棄用,很大可能就放棄了,明年直接上N3E工藝。對比N5工藝,N3功耗可降低約25-30%,性能可提升10-15%,晶體管密度提升約70%。N3E在N3的基礎上提升性能、降低功耗、擴大應用范圍,對比N5同等性
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三星:3nm 代工市場(chǎng) 2026 年將達 242 億美元規模

  • 12 月 11 日消息,三星電子 Foundry 代工部門(mén)高級研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導體 EUV 全球生態(tài)系統會(huì )議”上發(fā)表了演講。他表示,到 2026 年,全球 3 納米工藝節點(diǎn)代工市場(chǎng)將達到 242 億美元規模,較今年的 12 億美元增長(cháng)將超 20 倍。目前,三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司,隨著(zhù)三星電子、臺積電、英特爾等半導體大廠(chǎng)開(kāi)始引進(jìn) EUV 設備,工藝技術(shù)不斷發(fā)展,預計 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競爭節點(diǎn)。根據 Gartner 數據,截至今年年底,在晶圓代工市場(chǎng)中占據
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2023年一顆3nm芯片成本有多高?

  • ? ? ? ?眾所周知,臺積電,三星是全球芯片制造巨頭,也是目前唯二進(jìn)入到5nm及以下工藝時(shí)代的芯片制造商。并且在3nm制程工藝方面,二者也都有了明確布局。另外,按照臺積電的計劃,2025年還會(huì )量產(chǎn)2nm。納米芯片發(fā)展到這個(gè)程度,已經(jīng)接近物理芯片規則的極限了。但光刻機巨頭ASML正式表態(tài),摩爾定律還可延續十年,并且將推進(jìn)到1nm工藝。?????? 且不說(shuō)1nm、2nm工藝制程能夠實(shí)現,目前3nm工藝是已經(jīng)切
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臺積電和三星的“3nm之爭”:誰(shuí)率先降低代工價(jià)格,誰(shuí)就會(huì )是贏(yíng)家

  • 2022年已經(jīng)接近尾聲,3nm制程的競爭似乎也進(jìn)入到了白熱化階段,臺積電和三星誰(shuí)先真正實(shí)現3nm制程的量產(chǎn),一直都是產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)。雖然需要用到3nm芯片的廠(chǎng)商少之又少,但這并不妨礙它是巨頭爭相追逐的對象,畢竟對于整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),搶先掌握先進(jìn)工藝是占領(lǐng)市場(chǎng)最關(guān)鍵的部分。
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