三星：3nm 代工市場(chǎng) 2026 年將達 242 億美元規模

12 月 11 日消息，三星電子 Foundry 代工部門(mén)高級研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導體 EUV 全球生態(tài)系統會(huì )議”上發(fā)表了演講。

他表示，到 2026 年，全球 3 納米工藝節點(diǎn)代工市場(chǎng)將達到 242 億美元規模，較今年的 12 億美元增長(cháng)將超 20 倍。

目前，三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司，隨著(zhù)三星電子、臺積電、英特爾等半導體大廠(chǎng)開(kāi)始引進(jìn) EUV 設備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，預計 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競爭節點(diǎn)。

根據 Gartner 數據，截至今年年底，在晶圓代工市場(chǎng)中占據最大份額的是 5 納米和 7 納米工藝，市場(chǎng)規模 369 億美元，未來(lái)其份額將逐步由 3 納米所取代。他表示，“隨著(zhù) 14 納米 FinFET 工藝的推出，三星電子已經(jīng)上升到代工市場(chǎng)的第二位?！?/span>

據稱(chēng)，3 納米節點(diǎn)需要新的器件結構以提升性能，率先實(shí)現量產(chǎn) 3nm 工藝的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管結構的 MBCFET 技術(shù)，較 FinFET 性能功耗有明顯改善。

“就 FinFET 而言，性能隨著(zhù)引腳數量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET 的效率要高得多，因為它們在相似的水平上提高了性能和功率?！?/span>

具體來(lái)說(shuō)，在 FinFET 技術(shù)中性能提升 1.3 倍但功耗也會(huì )隨著(zhù)上漲2.2 倍，而在 MBCFET 中，性能提高 1.7 倍時(shí)，功耗只會(huì )增加 1.6 倍，相對來(lái)說(shuō)效率更高。