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EEPW首頁(yè) > 編輯觀(guān)點(diǎn) > 臺積電和三星的“3nm之爭”:誰(shuí)率先降低代工價(jià)格,誰(shuí)就會(huì )是贏(yíng)家

臺積電和三星的“3nm之爭”:誰(shuí)率先降低代工價(jià)格,誰(shuí)就會(huì )是贏(yíng)家

作者:陳玲麗 時(shí)間:2022-11-24 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

2022年已經(jīng)接近尾聲,制程的競爭似乎也進(jìn)入到了白熱化階段,誰(shuí)先真正實(shí)現制程的量產(chǎn),一直都是產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)。雖然需要用到芯片的廠(chǎng)商少之又少,但這并不妨礙它是巨頭爭相追逐的對象,畢竟對于整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),搶先掌握先進(jìn)工藝是占領(lǐng)市場(chǎng)最關(guān)鍵的部分。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202211/440818.htm

3nm進(jìn)展如何

作為全球晶圓的龍頭企業(yè),今年憑借著(zhù)第三季度6131億新臺幣的銷(xiāo)售額,有望取代老牌巨頭、英特爾成為全球半導體一哥。據市場(chǎng)調研機構Strategy Analytics最新報告,2022年第三季度臺積電總收益超過(guò)了200億美元,甚至超過(guò)了其他所有廠(chǎng)商(包括)的總和。

最新消息顯示臺積電3nm制程邁入沖刺階段,已明確表明其3nm工藝具有高良率,并且客戶(hù)的N3需求已經(jīng)超過(guò)了臺積電的供應能力,部分原因來(lái)自機臺交付問(wèn)題。此外,臺積電還預計在2023年N3將達到全面利用,將占明年晶圓營(yíng)收的4%-6%。

隨著(zhù)3nm產(chǎn)能在明年逐季開(kāi)出,包括蘋(píng)果、英特爾、高通等大客戶(hù)亦會(huì )導入量產(chǎn),將成為臺積電2023年營(yíng)收較今年成長(cháng)的主要動(dòng)能。據彭博報道,蘋(píng)果新款的M2芯片處理器更是有可能獨占臺積電3nm的大訂單。

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臺積電方面還透露N3E作為第二代3nm工藝制程,有著(zhù)更好的效能、功耗和良率,性能相比5nm提升18%、功耗降低34%、密度增加70%。并且,N3E開(kāi)發(fā)進(jìn)度較計劃提前,大規模量產(chǎn)時(shí)間預計在明年二季度到三季度,很可能2023年iPhone 15系列所搭載的A17芯片就會(huì )采用該工藝。

另外值得注意的是,臺積電計劃將N3技術(shù)芯片生產(chǎn)帶到它美國亞利桑那州5nm晶圓廠(chǎng)的傳聞,前兩天臺積電創(chuàng )始人張忠謀首次給出了肯定的答復。不過(guò)并未透露美國3nm晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)計劃的投資規模,以及會(huì )在何時(shí)啟動(dòng)。

雖然美國今年通過(guò)了配套有超過(guò)520億美元補貼的“芯片法案”,但對于臺積電來(lái)說(shuō)在美國制造芯片的仍要更高,然而這并不是從商業(yè)考慮的決策 —— 臺積電赴美建先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng),也在一定程度上順應了美國客戶(hù)的供應來(lái)源地分散化的供應鏈安全需求。

根據最新的預計,今年臺積電主要客戶(hù)的營(yíng)收占比依次為蘋(píng)果(25.4%)、AMD(9.2%)、聯(lián)發(fā)科(8.2%)、博通(8.1%)、高通(7.6%)、英特爾(7.2%)、英偉達(5.8%),這前七大客戶(hù)中六家都是美國客戶(hù),這也正是促使臺積電赴美建5nm/3nm晶圓廠(chǎng)的重要因素。

三星

在3nm制程量產(chǎn)方面,三星比臺積電率先曝出消息,據報道三星6月30日率先開(kāi)始采用3nm制程工藝為相關(guān)的客戶(hù)代工晶圓,首批晶圓在7月25日發(fā)貨。然而除了一家做礦機芯片的中國公司試水之外,大型半導體廠(chǎng)商中還在觀(guān)望,還有沒(méi)有任何一家確定要采用三星的3nm工藝。

雖然三星看似在3nm制程節點(diǎn)上先行一步,但實(shí)際生產(chǎn)上并非一帆風(fēng)順。而此前也是由于三星在4/5nm工藝上糟糕的良品率和表現,才迫使高通這樣的大客戶(hù)將旗艦SoC訂單轉投到臺積電。

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在未來(lái)的技術(shù)路線(xiàn)發(fā)展上,三星電子計劃在2024年推出第二代3nm工藝技術(shù)的半導體芯片(SF3)。三星電子表示,其第二代3nm芯片的晶體管將比第一代3nm芯片小20%,這將為智能手機、個(gè)人電腦、云服務(wù)器和可穿戴設備帶來(lái)更小、更節能的芯片。

此外,三星還計劃積極爭取美國境內晶圓代工市場(chǎng)。除了在德州奧斯汀的工廠(chǎng),目前還計劃在鄰近泰勒市興建全新工廠(chǎng),為最新3nm制程技術(shù)提供代工量產(chǎn)資源,預計在2024年開(kāi)始運作。

三星之所以不遺余力地擴大其代工產(chǎn)能,是因為三星電子代工事業(yè)部總裁Choi Si-young在日前活動(dòng)中明確表示了三星的目標是2027年將產(chǎn)能提高兩倍以上。為此,三星推行了“殼牌優(yōu)先”戰略,即先建設無(wú)塵室,然后在市場(chǎng)需求出現時(shí)靈活運營(yíng)。據了解,三星在韓國和美國已經(jīng)經(jīng)營(yíng)了五家工廠(chǎng),并獲得了建造10多個(gè)晶圓廠(chǎng)的場(chǎng)地。

3nm代工價(jià)格驚人

臺積電

臺積電在7nm制程節點(diǎn)成功地引入了EUV(極紫外光),隨后5nm制程節點(diǎn)更是拉開(kāi)了與其他代工廠(chǎng)之間的差距,蘋(píng)果、AMD、英偉達、聯(lián)發(fā)科、博通和高通等業(yè)界大型芯片設計公司紛紛下單。

更先進(jìn)的工藝制程意味著(zhù)更高的,每片晶圓的價(jià)格水漲船高。按照臺積電的報價(jià),7nm工藝的12寸晶圓大約是1萬(wàn)美元一片,5nm更是超過(guò)1.6萬(wàn)美元,預計明年還會(huì )上漲6%。有半導體從業(yè)人員表示,5nm制程節點(diǎn)的代工價(jià)格已非常高,3nm的報價(jià)已達到2萬(wàn)美元,成本的拉升相當明顯。

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一塊12寸的晶圓,其晶圓面積約為70659平方毫米,而一塊3nm的芯片,例如高通、蘋(píng)果的3nm手機Soc,預計面積會(huì )是70平方毫米的樣子。也就是說(shuō)一塊12寸的晶圓,在不浪費任何邊角料、100%良率的情況下,也就是只能切割出1000顆左右的芯片。

但晶圓是圓的,芯片是方的,一定會(huì )有邊角料留下來(lái),還要考慮到良率不可能100%。所以實(shí)際上來(lái)看,如果一塊12寸的晶圓用來(lái)制造3nm的芯片,在良率達到80%以及去邊角料后,最終能夠切割出完整可用的成品芯片也就是600-700顆左右。

如果后續加上研發(fā)、流片、封裝、報損、營(yíng)銷(xiāo)等成本,一顆3nm芯片的成本至少需要1000美元以上,所以只有高端檔手機Soc、電腦CPU、GPU這樣的高價(jià)值產(chǎn)品,才有可能用得起3nm工藝。廠(chǎng)商也會(huì )將成本轉嫁到下游客戶(hù),所以新款設備終端也會(huì )越來(lái)越貴。

三星

臺積電、三星是全球唯二能生產(chǎn)3nm工藝芯片的公司,卻走的是不同的路線(xiàn)。三星電子的3nm制程工藝率先采用全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管架構,臺積電則是繼續采用鰭式場(chǎng)效應晶體管(FinFET)架構。

三星表示與原來(lái)采用FinFET的5nm工藝相比,初代3nm制程(GAE)在功耗、性能和面積(PPA)方面有不同程度的改進(jìn),其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm制程(GAP)面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%,效果更好,不過(guò)需要2024年才能量產(chǎn)。

這樣的指標很誘人,如果三星能量產(chǎn),不會(huì )沒(méi)有廠(chǎng)商使用。但實(shí)際情況并不是這樣,三星的3nm并沒(méi)有公司搶著(zhù)上,只能說(shuō)明是有些問(wèn)題的,那就是良率偏低,根本沒(méi)法大規模量產(chǎn)。

據悉,目前臺積電先進(jìn)制程代工價(jià)一直上漲的原因之一就是 —— 三星電子5/4nm及3nm制程良率較低,其中三星3nm制程自量產(chǎn)以來(lái),良率不超過(guò)20%,量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸,因此與臺積電合作關(guān)系的穩定性也是目前多數芯片廠(chǎng)商考量的關(guān)鍵點(diǎn)。

三星3nm工藝的代工價(jià)格目前不清楚是多少,但根據臺積電3nm制程的生產(chǎn)成本,三星以20%的良率用于生產(chǎn)的話(huà),就算是打折代工估計也要10萬(wàn)美元,芯片成本要增加數倍以上,毫無(wú)競爭力。

不過(guò),最近三星與美國公司Silicon Frontline Technology擴大合作,將提高其半導體晶片生產(chǎn)良率。據稱(chēng)Silicon Frontline通過(guò)ESD靜電及相關(guān)技術(shù)可以減少晶圓加工中的缺陷,也就是說(shuō)提高芯片的良率,兩家公司對彼此的技術(shù)合作很滿(mǎn)意,但具體提升多少良率還沒(méi)有相應數據公布。

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至于是否有實(shí)際收益,還要留意未來(lái)幾個(gè)月三星的晶圓代工情況,看看是否有客戶(hù)愿意下訂單采用三星的先進(jìn)工藝。有消息指出,如果三星的計劃取得成效,高通可能會(huì )重新選擇三星,在一些SoC上采用雙代工廠(chǎng)的做法,以便更好地控制產(chǎn)能和成本。

由于此前高通已經(jīng)表明將持續采用臺積電與三星多芯片制造供應商來(lái)源的模式,加上臺積電在3nm制程上量產(chǎn)時(shí)間的繼續延遲,高通可能考慮將下一代驍龍8 Gen 3處理器交由三星來(lái)生產(chǎn)。

當前臺積電是高通驍龍8 Gen 2 移動(dòng)處理器的獨家供應商,由其4nm制程節點(diǎn)來(lái)生產(chǎn),但是到了2023 年之際將有許多的不確定性。不過(guò),當前談驍龍8 Gen 3的情況似乎還太早,還有許多的不確定性,需要在接下來(lái)的時(shí)間持續關(guān)注。

值得注意的是,三星作為最大的存儲芯片制造商,三季度在存儲芯片方面的營(yíng)收環(huán)比下滑28.1%,導致他們整體的凈利潤下滑,也導致將全球半導體銷(xiāo)冠的寶座拱手讓給了英特爾。英特爾三季度的營(yíng)收雖同比也大幅下滑,但他們在半導體方面148.51億美元的營(yíng)收,只是略低于上一季度的148.65億美元,高于三星電子的146億美元。

此外,三星近期也頻頻警告,由于對個(gè)人電腦和智能手機的需求較預期進(jìn)一步減弱,導致數據中心和消費科技客戶(hù)削減訂單、庫存增加,三星正面臨更嚴峻的市場(chǎng)形勢。

潛在的競爭者英特爾

根據英特爾制程工藝路線(xiàn)圖,英特爾Intel 7正在生產(chǎn)并批量出貨,Intel 4將采用EUV技術(shù),預計2022年下半年投產(chǎn),其晶體管的每瓦性能將提高約20%;而Intel 3作為英特爾代工服務(wù)的重點(diǎn),將提供I/O Fin和高密度單元,以及更多EUV的使用和更好的晶體管和互連,每瓦性能實(shí)現約18%的提升,預計2023年下半年投產(chǎn)。

就在近期,英特爾還成立了晶圓代工新聯(lián)盟 USMAG(美國軍事、航空航天和政府)聯(lián)盟,作為對其設計生態(tài)系統加速器計劃的戰略性補充,初始成員包括Cadence、Synopsys、Siemens Digital Industries Software、Intrinsix和Trusted Semiconductor Solutions等芯片巨頭。就在今年2月,英特爾代工服務(wù)(IFS)啟動(dòng)了其加速器設計生態(tài)系統計劃,以幫助代工廠(chǎng)客戶(hù)將硅產(chǎn)品從構思到實(shí)施。



關(guān)鍵詞: 臺積電 三星 3nm 代工 成本

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