臺積電下周舉行3納米量產(chǎn)典禮 臺媒稱(chēng)宣示深耕臺灣決心

日前，臺積電發(fā)出活動(dòng)通知，預計12月29日在臺南科學(xué)園區的晶圓18廠(chǎng)新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮，屆時(shí)將有上梁儀式。

業(yè)界認為，由于臺積電過(guò)往先進(jìn)制程量產(chǎn)罕有舉辦實(shí)體活動(dòng)，此舉意義重大。據臺灣地區媒體經(jīng)濟日報報道，臺積電擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺化”、掏空臺灣疑慮，即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴廠(chǎng)典禮，罕見(jiàn)以實(shí)際行動(dòng)宣示持續深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。

報道指出，相較于對手三星（Samsung）于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在京畿道華城廠(chǎng)區內盛大舉行3納米GAA晶片產(chǎn)品出廠(chǎng)紀念活動(dòng)，臺積電3納米量產(chǎn)時(shí)間晚了近半年。

此前，臺積電總裁魏哲家曾表示，3納米技術(shù)發(fā)展很困難，有許多客戶(hù)踴躍合作，臺積電3納米沿用FinFET架構，是經(jīng)過(guò)考慮良久，制程技術(shù)推出不是好看、要實(shí)用，要協(xié)助客戶(hù)讓產(chǎn)品持續推進(jìn)。

相較于5納米，臺積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。預計蘋(píng)果及英特爾等客戶(hù)都將采用臺積電3納米制程。

據了解，臺積電的南科晶圓18廠(chǎng)是5納米及3納米的生產(chǎn)基地，其中，晶圓18廠(chǎng)5期至9期廠(chǎng)房是3納米生產(chǎn)基地。

臺積電美國亞利桑那州廠(chǎng)第1期工程，預計2024年量產(chǎn)4納米；第2期工程開(kāi)始興建，預計2026年生產(chǎn)3納米制程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工后合計將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片晶圓。

對于赴美投資引發(fā)的“去臺化”、掏空臺灣疑慮，魏哲家在日前參加活動(dòng)中的演講時(shí)以“門(mén)都沒(méi)有”回應。他說(shuō)，半導體產(chǎn)業(yè)用的是腦力，在大部分國家都有工程師不足情況；不是工廠(chǎng)搬到哪個(gè)地方，那個(gè)地方就會(huì )發(fā)展茂盛，“門(mén)都沒(méi)有”。