代工價(jià)格高達14萬(wàn)元 臺積電3nm真實(shí)性能大縮水：僅比5nm好了5%

臺積電當前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm，3nm工藝因為種種原因一直推遲，9月份就說(shuō)量產(chǎn)了，又說(shuō)年底量產(chǎn)，不過(guò)這個(gè)月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了。

根據臺積電之前的消息，3nm節點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的，但是這版工藝遭到客戶(hù)棄用，很大可能就放棄了，明年直接上N3E工藝。

對比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。

N3E在N3的基礎上提升性能、降低功耗、擴大應用范圍，對比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以將晶體管密度提升60％，密度上甚至更低了一些。

考慮到近年來(lái)摩爾定律一直在放緩，70%左右的密度提升看起來(lái)還不錯，但這是臺積電公布的最好水平，指的是純邏輯芯片，SRAM緩存的密度就只有20%了，N3E還會(huì )更低。

然而20%的提升依然是理論上的美好，臺積電之前在IEDM會(huì )議上公布了更真實(shí)的數據，3nm工藝的SRAM緩存在晶體管密度上只比5nm高出5%，指標大幅縮水。

盡管3nm工藝還有10-15%的性能或者25-30%的功耗改進(jìn)，但是這些指標顯然也是非常理想的情況，實(shí)際提升也會(huì )跟密度一樣存在縮水。

但是3nm晶圓的代工價(jià)格上漲是實(shí)實(shí)在在的，傳聞是2萬(wàn)美元一片，約合人民幣14萬(wàn)元，比5nm工藝漲價(jià)至少25%以上。

而且14萬(wàn)元的價(jià)格還是基準價(jià)，如果廠(chǎng)商的訂單量達不到臺積電的要求，價(jià)格還會(huì )大漲，超過(guò)10萬(wàn)美元也很正常，也就是70萬(wàn)人民幣了，這樣的價(jià)格下芯片設計廠(chǎng)商的成本根本撐不住。

也難怪臺積電在需求下降的時(shí)候依然想逆勢漲價(jià)，但蘋(píng)果強硬拒絕，反擊臺積電的理由就是蘋(píng)果這幾年的利潤率一直沒(méi)提升，臺積電自己的利潤率已經(jīng)從50%提升到60%了。