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3d x-dram
3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區
大聯(lián)大世平集團推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案

- 2022年11月16日,致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于耐能(Kneron)KL520芯片的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案的展示板圖 在現代化經(jīng)濟建設和智能管理的驅動(dòng)下,人工智能門(mén)禁系統作為安防基礎核心迎來(lái)了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下,各種酒店、賓館、寫(xiě)字樓、智能大廈、政府機關(guān)等單位,對于多功能智能門(mén)禁系統的需求更是日益攀高。在此趨勢下,大
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Arm Immortalis 實(shí)現 3D 游戲新境界
- 新聞重點(diǎn)· 隨著(zhù)業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案,Arm 持續提高安卓生態(tài)系統的性能標桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線(xiàn)追蹤,將為高級移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布,MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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報告稱(chēng)三星電子 DRAM 市場(chǎng)份額創(chuàng ) 8 年來(lái)新低

- IT之家 11 月 9 日消息,根據最新的報告,三星電子在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額已跌至八年來(lái)的最低點(diǎn)。據 Eugene Investment & Securities 11 月 8 日發(fā)布的報告,第三季度全球 DRAM 市場(chǎng)銷(xiāo)售額為 179.73 億美元(當前約 1301.25 億元人民幣),較第二季度的 254.27 億美元下降 29.3%。三星電子的 DRAM 銷(xiāo)售額從第二季度的 111.21 億美元下降到第三季度的 73.71 億美元(當前約 533.66 億元人民幣
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
芯片巨頭美光:成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布,采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證,并做好了量產(chǎn)準備?! ?β工藝可將能效提高約15%,存儲密度提升35%以上,單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?! ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是,美光稱(chēng),1β繞過(guò)了EUV(極紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)?! ∵@意味著(zhù)相較于三星、SK海力士,美光需要更復雜的設計方案。畢竟,DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力,各公司目
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM 內存芯片 光刻機 EUV
機構預計今年服務(wù)器 DRAM 需求將達到 684.86 億 GB,首次超過(guò)移動(dòng)設備

- 11 月 2 日消息,據國外媒體報道,受電子消費品續期下滑影響,當前全球存儲芯片市場(chǎng)并不樂(lè )觀(guān),DRAM 與 NAND 閃存的需求和價(jià)格都有下滑,三星電子、SK 海力士等存儲芯片制造商的業(yè)績(jì),也受到了影響。雖然存儲芯片市場(chǎng)整體的狀況并不樂(lè )觀(guān),但部分領(lǐng)域的需求,卻在不斷增長(cháng)。研究機構在最新的報告中就表示,服務(wù)器 DRAM 的需求在不斷增長(cháng),在今年有望首次超過(guò)智能手機、平板電腦等移動(dòng)設備對 DRAM 的需求。研究機構在報告中預計,今年全球服務(wù)器對 DRAM 的需求,會(huì )達到 684.86 億 GB,智能手機、平板
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功率效率提高15%,美光1β DRAM樣本出貨
- 當地時(shí)間11月1日,美光宣布正在向選定的智能手機制造商和芯片組運送其1β DRAM技術(shù)的合格樣品合作伙伴,并已通過(guò)世界上最先進(jìn)的DRAM技術(shù)節點(diǎn)實(shí)現了量產(chǎn)準備。據官方介紹,美光于2021年實(shí)現1α LPDDR5X DRAM批量出貨,此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%,每區儲存的位元數也增加35%。美光表示,隨著(zhù)LPDDR5X的出樣,移動(dòng)產(chǎn)品將率先從1β DRAM 的提升中獲益,提升新一代智能手機的性能的同時(shí),消耗更少的電力。美光DRAM程序整合部門(mén)副總裁Thy Tran表示,新版
- 關(guān)鍵字: 功率效率 美光 1β DRAM
美光出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節點(diǎn)DRAM

- 2022年11月2日——中國上?!獌却媾c存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開(kāi)始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗證,并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動(dòng)內存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有顯著(zhù)提升,將為市場(chǎng)帶來(lái)巨大收益。除了移動(dòng)應用,基于1β節點(diǎn)的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內存:采用先進(jìn) 1β 工藝,15% 能效提升

- IT 之家 11 月 1 日消息,美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內存,采用先進(jìn) 1β 工藝,正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據官方介紹,美光 2021 年實(shí)現 1α 工藝批量出貨,現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱(chēng),最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過(guò) 35% 的密度提升,每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示,隨著(zhù) LPDDR5X 的出樣,移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益,提升新一代智能手機的性能的同時(shí),消
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SK海力士:未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日,SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注,對此,SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上,針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境,作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中,“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復,SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外,針對美國對芯片設備出口的管制,SK海力士表示,
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM NAND
臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺積電10月27日宣布,成立開(kāi)放創(chuàng )新平臺(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng )意電子、IBIDEN、西門(mén)子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù),使得他們能夠與臺積電同步開(kāi)發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
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西門(mén)子推軟件解決方案 加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測試性設計
- 西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路(IC)關(guān)鍵可測試性設計(DFT)。隨著(zhù)市場(chǎng)對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升,IC設計界也面臨著(zhù)嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構,以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個(gè)晶粒,使其能夠作為單一組件運作。但是,這種做法為芯片測試帶來(lái)巨大的挑戰,因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰,西門(mén)子推出Tess
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高手在民間 世界技能大賽特別賽中國已奪8金 位居第一
- 10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行,中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎,實(shí)現多個(gè)項目上金牌和獎牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國賽區比賽于10月12日開(kāi)幕,共舉行8個(gè)項目的比賽,吸引了來(lái)自34個(gè)國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項目的角逐?! ∑渲?,來(lái)自廣州市工貿技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應用開(kāi)發(fā)項目金牌,成為本次大賽該新增項目首個(gè)金牌獲得者?! ?lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌,實(shí)現我國在這兩個(gè)項目上
- 關(guān)鍵字: 世界技能大賽 3D 云計算
8.5 Gbps!三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng )新高

- 10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內存已通過(guò)驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺上使用,該內存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過(guò)優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境,三星超過(guò)了自身在今年3月創(chuàng )下的7.5Gbps的最高運行速度,夯實(shí)了在內存市場(chǎng)的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來(lái)全球移動(dòng)內存(DRAM)市場(chǎng)的推動(dòng)者,三星一直在努力推進(jìn)高端智能手機普及,使更多消費者能夠在移動(dòng)設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
- 關(guān)鍵字: 三星 LPDDR5X DRAM
3d x-dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3d x-dram的理解,并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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