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3d x-dram
3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區
長(cháng)江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長(cháng)江存儲無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(cháng)江存儲有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長(cháng)江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規格
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2022半導體儲存器市場(chǎng)調研 半導體儲存器行業(yè)前景及現狀分析
- 國內半導體儲存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規模最大的分支：半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領(lǐng)域。2022半導體儲存器市場(chǎng)調研半導體儲存器行業(yè)前景及現狀分析 國內開(kāi)始布局存儲產(chǎn)業(yè)規?；?，中國大陸的存儲器公司陸續成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內存儲器行業(yè)有望迎來(lái)新的發(fā)展和機遇?！ “雽w儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
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TrendForce：DRAM原廠(chǎng)降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%
- 根據TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉弱，但先前DRAM原廠(chǎng)議價(jià)強勢，并未出現降價(jià)求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買(mǎi)方堆棧至賣(mài)方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開(kāi)始有較明確的降價(jià)意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續引發(fā)原廠(chǎng)競相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續性下修出貨展望，且綜觀(guān)各家DRAM庫存水位平均超過(guò)兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年
- 近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)
- 頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D N
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TrendForce：第三季DRAM價(jià)格預估下跌3～8％
- 據TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領(lǐng)域恐出現超過(guò)8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時(shí)也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著(zhù)重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時(shí)，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求，因此即便
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案 推動(dòng)2D/3D IC升級
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
- 關(guān)鍵字： imec 晶背供電 邏輯IC 布線(xiàn) 3D IC
英飛凌推出全球首款符合ISO26262標準的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器
- 3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監控系統中發(fā)揮著(zhù)著(zhù)舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng )新的汽車(chē)智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對于滿(mǎn)足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實(shí)現自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專(zhuān)注3D ToF（飛行時(shí)間）系統領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫療應用
- 增強現實(shí)（AR）應用將從根本上改變人類(lèi)的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級應用而設計，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開(kāi)發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實(shí)現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內存
- 關(guān)鍵字： SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
- 關(guān)鍵字： DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
利基型DRAM持續擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內存大廠(chǎng)華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠(chǎng)退出后的市占率，推升營(yíng)收及獲利續創(chuàng )新高。華邦電自行開(kāi)發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠(chǎng)量產(chǎn)，為長(cháng)遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長(cháng)動(dòng)能，同時(shí)滿(mǎn)足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動(dòng)車(chē)及車(chē)用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來(lái)利基型DRAM價(jià)格回升，SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩，季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng )下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
- 關(guān)鍵字： DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
三星推出512GB 內存擴展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ，作為先進(jìn)內存技術(shù)的廠(chǎng)商，三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統中實(shí)現更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開(kāi)發(fā)的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴展至數十TB，而系統延遲僅為其五分之一三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級版本，以推動(dòng)CXL內存在現有和新興IT系統中的部署自2021年5月推出三星首款配備
- 關(guān)鍵字： 三星 內存擴展器 CXL DRAM
NVIDIA透過(guò)人工智能 將2D平面照片轉變?yōu)?D立體場(chǎng)景
- 當人們在75年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫(huà)面的創(chuàng )舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過(guò)來(lái)，亦即在幾秒鐘內將一組靜態(tài)影像變成數字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項稱(chēng)為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程，利用 AI 來(lái)預估光線(xiàn)在真實(shí)世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
- 關(guān)鍵字： 3D CPU GPU NVIDIA
3d x-dram介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d x-dram的理解，并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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