3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區

第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車(chē)輛應用解決方案

日本計劃在東京奧運會(huì )上展示無(wú)人駕駛技術(shù)，展現了近年來(lái)汽車(chē)智能化的成果。隨著(zhù)5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車(chē)載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂(lè )影音播放以及導航系統，發(fā)展到現在的深度學(xué)習與車(chē)聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著(zhù)無(wú)人駕駛的目標前進(jìn)。而實(shí)現此目標的關(guān)鍵因素正是半導體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統（ADAS）是車(chē)載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車(chē)、盲點(diǎn)偵測以及駕駛人監控系統等。車(chē)輛制造商一直試著(zhù)添加更多主動(dòng)式安全保護，以達到無(wú)人駕駛的最終目標。因此，越來(lái)越多的半導體產(chǎn)商與車(chē)輛制造
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統

近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學(xué)或其他電子束檢測平臺無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴(lài)于極端紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門(mén)總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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打破國外壟斷，全國產(chǎn)3D芯片為機器人“點(diǎn)睛”

從原子的物理世界到0和1的數字世界，3D視覺(jué)“感知智能”技術(shù)是第一座橋梁。我國放量增長(cháng)的工業(yè)級、消" />

傳統機器人只有“手”，只能在固定好的點(diǎn)位上完成既定操作，而新一輪人工智能技術(shù)大大推動(dòng)了機器和人的協(xié)作，這也對機器人的靈活性有了更高要求。要想像人一樣測量、抓取、移動(dòng)和避讓物體，機器人首先需要對周邊世界的距離、形狀、厚薄有高精度的感知，而3D視覺(jué)芯片可以引導機器人完成上述復雜的自主動(dòng)作，它相當于機器人的”眼睛”和”大腦”。近日，中科融合感知智能研究院（蘇州工業(yè)園區）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)中科融合）的全球首顆高精度3D-AI雙引擎SOC芯片，已經(jīng)在國內一家芯片代工廠(chǎng)進(jìn)入最終流片階段。這顆芯片將和中科融合已經(jīng)進(jìn)入批
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

7月2日，SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。圖1. SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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Melexis 推出汽車(chē)級 3D 霍爾效應傳感器 IC

微電子半導體解決方案全球供應商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計節點(diǎn)，這是一款汽車(chē)級 (AEC-Q100) 單片傳感器 IC，可利用霍爾效應提供三維無(wú)接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實(shí)現冗余，適用于要求苛刻的場(chǎng)景，例如汽車(chē)應用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過(guò)系統處理器定義，而不是硬連線(xiàn)到器件本身。就位置傳感的適用性而言，該產(chǎn)品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口，可輕松在汽車(chē)或工業(yè)控制環(huán)境中集成。
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國產(chǎn)DRAM內存抱團發(fā)展合肥長(cháng)鑫與3家公司合作

6月6日，長(cháng)三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長(cháng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個(gè)突破——長(cháng)江存儲的3D閃存、合肥長(cháng)鑫的DRAM內存雙雙量產(chǎn)，其中內存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導，門(mén)檻太高。合肥長(cháng)鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
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南亞科：視歐美疫情定市場(chǎng) 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)

存儲器大廠(chǎng)南亞科28日召開(kāi)年度股東常會(huì )，會(huì )中董事長(cháng)吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場(chǎng)的需求較2019年同期有小幅度的成長(cháng)，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會(huì )議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀(guān)察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關(guān)稅問(wèn)題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷(xiāo)貨較2018年減少超過(guò)45%，也使得南亞科在2019年
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三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過(guò)40% 但銷(xiāo)售額有下滑

三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)了40%，但銷(xiāo)售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠(chǎng)商，較第二大廠(chǎng)商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過(guò)了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷(xiāo)售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠(chǎng)商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷(xiāo)售額下滑1
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(cháng)江存儲3D NAND

電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長(cháng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數成長(cháng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(cháng)江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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長(cháng)江存儲：128層3D NAND技術(shù)會(huì )按計劃在今年推出

據證券時(shí)報消息，長(cháng)江存儲CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì )有所波及。但目前長(cháng)江存儲已實(shí)現全員復工，從中長(cháng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì )影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì )按計劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(cháng)江存儲市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(cháng)江存儲將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(cháng)江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

從20nm技術(shù)節點(diǎn)開(kāi)始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問(wèn)題也會(huì )導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線(xiàn)接觸 (BLC) 與存儲節點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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三星首次將EUV技術(shù)應用于DRAM生產(chǎn)

據ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應用于DRAM的生產(chǎn)中。
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三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規模量產(chǎn)

當前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶(hù)評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務(wù)器等應用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開(kāi)始全面導入EUV，明年基于D1a大規模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內存芯片，預計會(huì )使12
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微軟Surface Duo未來(lái)新特性：支持3D深度相機

新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設備。在去年10月份的發(fā)布會(huì )上，微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機，Surface Duo可運行Google的Android應用，并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務(wù)。Surface Duo是由Panos Panay領(lǐng)導的Surface團隊設計的，它具有出色的硬件，但是之前有傳言稱(chēng)Surface Duo設備將配備中核相機。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競爭的Surface Duo可能沒(méi)有配備出
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