3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區

ams攜手ArcSoft 力推3D dToF走進(jìn)安卓手機

•  作為傳感器領(lǐng)域風(fēng)頭最勁的企業(yè)，ams（艾邁斯半導體）通過(guò)技術(shù)積累和持續的并購戰略逐漸成為各類(lèi)傳感器領(lǐng)域的領(lǐng)導者，特別是經(jīng)過(guò)收購歐司朗之后，進(jìn)一步實(shí)現了公司業(yè)務(wù)規模的擴大和業(yè)務(wù)領(lǐng)域的平衡，使得ams在各個(gè)核心領(lǐng)域上都有非常好的市場(chǎng)地位。 經(jīng)過(guò)對歐司朗的收購之后，ams聚焦在三大核心技術(shù)領(lǐng)域，主要包括傳感、照明（光源）以及可視化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區銷(xiāo)售和市場(chǎng)高級副總裁陳平路表示，隨著(zhù)5G時(shí)代帶來(lái)的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的革新非?？春胕ToF、
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2021年DRAM與NAND增長(cháng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

• 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機會(huì )，該公司舉辦了線(xiàn)上媒體溝通會(huì )，執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場(chǎng)預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(cháng)19%展望2021年，全球GDP增長(cháng)約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產(chǎn)業(yè)預計增長(cháng)可達12%，整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長(cháng)可達19%，增度遠超整
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美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續數年，NAND產(chǎn)能今年保持穩定

• 存儲芯片大廠(chǎng)美光（Micron）執行副總裁兼事業(yè)長(cháng)Sumit Sadana近日接受采訪(fǎng)表示，2020年汽車(chē)電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現明顯復蘇，并帶動(dòng)存儲器需求增長(cháng)。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數據的存儲。在DRAM領(lǐng)域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數據、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱(chēng)，預期今
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康耐視推出In-Sight 3D-L4000視覺(jué)系統

• 作為全球工業(yè)機器視覺(jué)領(lǐng)域的領(lǐng)導者之一，康耐視公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式視覺(jué)系統。這是一款采用3D激光位移技術(shù)的創(chuàng )新型智能相機，能幫助用戶(hù)快速、準確且經(jīng)濟高效地解決自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)上的一系列檢測應用難題?！耙恢币詠?lái)，3D檢測系統對于大多數用戶(hù)來(lái)說(shuō)面臨兩個(gè)問(wèn)題：產(chǎn)品操作復雜、使用成本昂貴，”康耐視3D事業(yè)部經(jīng)理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000視覺(jué)系統很好的解決了這兩個(gè)痛點(diǎn)，其提供了大量的3D視覺(jué)工具套件，使3D檢測能夠像行業(yè)先進(jìn)的In-
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產(chǎn)品包括5個(gè)系列共計6個(gè)尺寸TDK株式會(huì )社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個(gè)系列，并針對工業(yè)、醫療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應用進(jìn)行了優(yōu)化。5個(gè)系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產(chǎn)品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會(huì )之一的 Flash Memory 峰會(huì )將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會(huì )議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來(lái)所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過(guò)渡節點(diǎn)。而目前在三星的存儲技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒(méi)有特
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受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％

• 11月1日消息 據韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。據市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續第二個(gè)月保持平穩的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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完全漲不動(dòng)：內存價(jià)格繼續觸底

• 根據IC Insights的分析報告，DRAM內存芯片在今年底之前將繼續呈現下滑態(tài)勢。簡(jiǎn)單回顧下，內存跌價(jià)大致是從2018下半年開(kāi)始，2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學(xué)習等推動(dòng)了PC等設備的需求增長(cháng)，內存價(jià)格有所小幅反彈，但持續的時(shí)間并不長(cháng)。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來(lái)說(shuō)，三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無(wú)論是廠(chǎng)商還是個(gè)人消費者，其季節性的購買(mǎi)行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

• SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數據、人工智能、機器學(xué)習等領(lǐng)域。         圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
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"爛尾”的格芯成都廠(chǎng)終于有人接盤(pán)了？將轉產(chǎn)DRAM內存芯片？

• 擱淺2年多的成都格芯廠(chǎng)，在今年5月正式宣布停業(yè)4個(gè)多月之后，終于迎來(lái)了接盤(pán)者————成都高真科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“高真科技”），并有望轉產(chǎn)DRAM內存芯片。根據企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營(yíng)范圍包括：“銷(xiāo)售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開(kāi)發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開(kāi)發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進(jìn)出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無(wú)損檢驗、
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HBM2E 和GDDR6： AI內存解決方案

• 前言人工智能/機器學(xué)習（AI/ML）改變了一切，影響著(zhù)每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著(zhù)每個(gè)人的生 活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓練集增長(cháng)了30萬(wàn)倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實(shí)現的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓練能力增長(cháng)了30萬(wàn)倍內存帶寬將成為人工智能持續增長(cháng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
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三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)

• 實(shí)現DRAM量產(chǎn)后，預計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動(dòng)設備市場(chǎng)，下一步進(jìn)軍汽車(chē)電裝市場(chǎng) 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)正式開(kāi)工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節）LPDDR5移動(dòng)DRAM，開(kāi)創(chuàng )業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠(chǎng)第二生產(chǎn)線(xiàn)的建筑面積達12.89萬(wàn)平方米（
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三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

• 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門(mén)檻，克服了先進(jìn)節點(diǎn)下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線(xiàn)占地超過(guò)128900平方米，相當于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
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三星加快部署3D芯片封裝技術(shù) 希望明年同臺積電展開(kāi)競爭

• 據國外媒體報道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術(shù)，而外媒最新的報道顯示，三星已加快了這一技術(shù)的部署。外媒是援引行業(yè)觀(guān)察人士透露的消息，報道三星在加快3D芯片封裝技術(shù)的部署的。加快部署，是因為三星尋求明年開(kāi)始同臺積電在先進(jìn)芯片的封裝方面展開(kāi)競爭。從外媒的報道來(lái)看，三星的3D芯片封裝技術(shù)名為“eXtended-Cube” ，簡(jiǎn)稱(chēng)“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術(shù)，是一種利用垂直電氣連接而不是電線(xiàn)的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術(shù)來(lái)
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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

• 據臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱(chēng)這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來(lái)自三星電子官方三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡(jiǎn)稱(chēng)TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應用嚴苛的表現需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動(dòng)和穿戴設備等。三星晶圓代工市場(chǎng)策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光(EUV)制程節
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