國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。

這項研究是由來(lái)自L(fǎng)am Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗進(jìn)行的。

根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng )建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)單方法。

然而，這種被稱(chēng)為反應離子刻蝕的過(guò)程尚未完全了解，可以改進(jìn)。最近的一項發(fā)展涉及將晶圓（要加工的半導體材料片）保持在低溫下，這種新興的方法稱(chēng)為冷凍蝕刻。

傳統上，冷凍蝕刻使用單獨的氫氣和氟氣體來(lái)打孔。研究人員將該工藝的結果與使用氟化氫氣體產(chǎn)生等離子體的更先進(jìn)的低溫蝕刻工藝進(jìn)行了比較。

結果顯示，與以前的冷凍蝕刻工藝相比，使用氟化氫等離子體的冷凍蝕刻顯示出蝕刻速率的顯著(zhù)增加。在蝕刻氧化矽、氮化矽交替層時(shí)，蝕刻速率可從每分鐘310納米提升至640納米，提升超過(guò)一倍，蝕刻品質(zhì)也同步提升。

同時(shí)，研究人員還研究了三氟化磷的影響。他們發(fā)現，添加三氟化磷使二氧化硅的刻蝕速率增加了四倍，盡管它只略微提高了氮化硅的刻蝕速率。