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3d hal
3d hal 文章 進(jìn)入3d hal技術(shù)社區
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì )展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關(guān)鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像
3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
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平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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外媒：存儲大廠(chǎng)正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長(cháng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(cháng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
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芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
- 關(guān)鍵字： 芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”
- 國內EDA行業(yè)領(lǐng)導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設計分析方面的杰出表現，近日在半導體行業(yè)國際在線(xiàn)平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱(chēng)號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng )始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內容生態(tài)
- 近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)， 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣(mài)點(diǎn)，是否會(huì )向其他同類(lèi)產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶(hù)的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布， 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內容生態(tài)系統，包含大量運用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來(lái)自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開(kāi)發(fā)商的內容支持。
- 關(guān)鍵字： 努比亞 MWC 3D 游戲引擎
意法半導體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果： 適用于機器視覺(jué)和機器人的3D 立體視覺(jué)攝像頭
- 雙方將通過(guò)立體攝像頭數據融合技術(shù)演示3D立體深度視覺(jué)， *AIoT 、AGV小車(chē)和工業(yè)設備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運動(dòng)物體參考設計利用意法半導體的高性能近紅外全局快門(mén)圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費電子展上，服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專(zhuān)
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 鈺立 CES 2023 機器視覺(jué) 3D 立體視覺(jué)攝像頭
3d hal介紹
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