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3d hal
3d hal 文章 進(jìn)入3d hal技術(shù)社區
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
- 關(guān)鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 3D IC
如何減少光學(xué)器件的數據延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
- 關(guān)鍵字： 3D-IC
Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進(jìn)的點(diǎn)云
- Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺(jué)相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(cháng)的工作距離，速度更快，點(diǎn)云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著(zhù)減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當在高端GPU上運行時(shí)，我們推薦的預設和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
- 關(guān)鍵字： Zivid 3D 機器人
3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)
- 在 AI 服務(wù)器中，內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠(chǎng)商，以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM
3D NAND，1000層競爭加速！
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 集邦咨詢(xún)
千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰悄然開(kāi)局
- 從目前公開(kāi)的DRAM（內存）技術(shù)來(lái)看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來(lái)內存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠(chǎng)布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫(xiě)入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備。DRAM開(kāi)發(fā)主要通過(guò)減小電路線(xiàn)寬來(lái)提高集成度
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲
300層之后，3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)圖
- 開(kāi)發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無(wú)止境的山峰。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
TDK發(fā)布適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新ASIL C級雜散場(chǎng)穩健型3D HAL傳感器
- ●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應位置傳感器，具備穩健的雜散場(chǎng)補償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車(chē)安全相關(guān)系統中，最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車(chē)應用場(chǎng)景包括轉向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤(pán)位置檢測、油門(mén)和制動(dòng)踏板位置檢測**TDK株式會(huì )社利用適用于汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的新型
- 關(guān)鍵字： TDK ASIL C 3D HAL傳感器
TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器
- ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開(kāi)發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì )社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現推出面向汽車(chē)和工業(yè)應用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線(xiàn)檢測的
- 關(guān)鍵字： TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF相機于物流倉儲自動(dòng)化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時(shí)測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現場(chǎng)精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無(wú)人搬運車(chē)移動(dòng)順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現爆炸性成長(cháng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問(wèn)題，加速物流倉儲行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導入無(wú)人搬運車(chē)AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
- 關(guān)鍵字： 3D ToF 相機 物流倉儲 自動(dòng)化 臺達
3d hal介紹
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