3d hal 文章進(jìn)入3d hal技術(shù)社區

如何達到3D位置感測的實(shí)時(shí)控制

本文回顧3D霍爾效應位置傳感器的基礎知識，并描述在機器人、篡改偵測、人機接口控制和萬(wàn)向節馬達系統中的用途；以及介紹高精密度線(xiàn)性3D霍爾效應位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測在各種工業(yè)4.0應用中不斷增加，從工業(yè)機器人、自動(dòng)化系統，到掃地機器人和保全。3D霍爾效應位置傳感器是這些應用的理想選擇；它們具有高重復性和可靠性，還可以與窗戶(hù)、門(mén)和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測。盡管如此，使用霍爾效應傳感器設計有效且安全的3D感測系統可能復雜且耗時(shí)?；魻栃獋鞲衅餍枰c足夠強大的微控制器（MCU）介接，以
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大聯(lián)大世平集團推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案

2022年11月16日，致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識別門(mén)禁系統方案的展示板圖在現代化經(jīng)濟建設和智能管理的驅動(dòng)下，人工智能門(mén)禁系統作為安防基礎核心迎來(lái)了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下，各種酒店、賓館、寫(xiě)字樓、智能大廈、政府機關(guān)等單位，對于多功能智能門(mén)禁系統的需求更是日益攀高。在此趨勢下，大
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Arm Immortalis 實(shí)現 3D 游戲新境界

新聞重點(diǎn)· 隨著(zhù)業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計算解決方案，Arm 持續提高安卓生態(tài)系統的性能標桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線(xiàn)追蹤，將為高級移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計算基礎可為新一代智能手機提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級 GPU Arm Immortalis?-G
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臺積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺積電10月27日宣布，成立開(kāi)放創(chuàng )新平臺（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng )意電子、IBIDEN、西門(mén)子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺積電同步開(kāi)發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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IQE 宣布與全球消費電子領(lǐng)導者達成長(cháng)期戰略協(xié)議

- 長(cháng)期批量供應協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應用開(kāi)發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進(jìn)一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場(chǎng)領(lǐng)導者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“IQE”或“集團”），全球領(lǐng)先的化合物半導體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
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西門(mén)子推軟件解決方案加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測試性設計

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測試性設計（DFT）。隨著(zhù)市場(chǎng)對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著(zhù)嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來(lái)巨大的挑戰，因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰，西門(mén)子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎，實(shí)現多個(gè)項目上金牌和獎牌零的突破?！　”敬翁貏e賽韓國賽區比賽于10月12日開(kāi)幕，共舉行8個(gè)項目的比賽，吸引了來(lái)自34個(gè)國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個(gè)項目的角逐?！　∑渲?，來(lái)自廣州市工貿技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應用開(kāi)發(fā)項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個(gè)金牌獲得者?！　?lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術(shù)項目、云計算項目金牌，實(shí)現我國在這兩個(gè)項目上
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AOI+AI+3D 檢測鐵三角成形

疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。因此，各產(chǎn)業(yè)對自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業(yè)快速轉型，走向更自動(dòng)化、數字化的智能化方向。導入自動(dòng)化及AI的過(guò)程中，傳統人力逐漸被取代，也改變產(chǎn)線(xiàn)人員配置的傳統生態(tài)，其中，可以確保產(chǎn)線(xiàn)及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測儀器不僅發(fā)揮精準有效的優(yōu)勢，還能針對缺陷或瑕疵及時(shí)修復、舍棄，降低不必要的時(shí)間成本與人力成本，快速穩定且
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠(chǎng)聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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長(cháng)江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級

近日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(cháng)江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機器學(xué)習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫(xiě)性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著(zhù)長(cháng)江存儲嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長(cháng)江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著(zhù)5G通信、大數據、AIoT的加速
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長(cháng)江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(cháng)江存儲無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(cháng)江存儲有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長(cháng)江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術(shù)研討會(huì )（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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