<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d-mimo

內存制造技術(shù)再創(chuàng )新,大廠(chǎng)新招數呼之欲出

  • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
  • 關(guān)鍵字: HBM  3D DRAM  

鎧俠公布藍圖:2027年實(shí)現1000層3D NAND堆疊

  • 近日,據媒體報道,日本存儲芯片廠(chǎng)商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖,目標2027年實(shí)現1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來(lái),3D NAND閃存的層數經(jīng)歷了顯著(zhù)的增長(cháng),從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實(shí)現了驚人的10倍增長(cháng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(cháng)速度,預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時(shí)間早了近3年,據日本媒體今年4月報道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學(xué)會(huì )春季學(xué)術(shù)演講會(huì )上表示,公司計劃于2030至2031
  • 關(guān)鍵字: 鎧俠  3D NAND堆疊  

SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%

  • 6月25日消息,據媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì )上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續創(chuàng )新。據最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著(zhù)進(jìn)展,并首次詳細公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數據意味著(zhù)在單個(gè)測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過(guò)一半(即561個(gè))為良
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D DRAM  

西門(mén)子推出Calibre 3DThermal軟件,持續布局3D IC市場(chǎng)

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析,幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過(guò)程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門(mén)子先進(jìn)的設計工具,能夠在整個(gè)設計流程中捕捉和分析熱數據西門(mén)子數字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對?3D?
  • 關(guān)鍵字: 西門(mén)子  Calibre 3DThermal  3D IC  

邁向 3D 內存:三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開(kāi)發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道,三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì )上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結構上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
  • 關(guān)鍵字: 3D 內存  存儲  三星  

SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D NAND  

5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利,準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題,將裝置中
  • 關(guān)鍵字: 5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC  

聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用,預計今年量產(chǎn)

  • 近日,晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì ),公布2024年第一季財報,合并營(yíng)收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運效率提升,仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  3D IC  

如何減少光學(xué)器件的數據延遲

  • 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
  • 關(guān)鍵字: 3D-IC  

Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進(jìn)的點(diǎn)云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布,是對我們3D視覺(jué)相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中,我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(cháng)的工作距離,速度更快,點(diǎn)云質(zhì)量更好,特別是在透明物體上。升級要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著(zhù)減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當在高端GPU上運行時(shí),我們推薦的預設和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
  • 關(guān)鍵字: Zivid  3D  機器人  

3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計時(shí)

  • 在 AI 服務(wù)器中,內存帶寬問(wèn)題越來(lái)越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下,HBM 內存很火,它相對于傳統 DRAM,數據傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著(zhù) AI 應用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問(wèn)題,但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無(wú)期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯選擇。目前,各大內存芯片廠(chǎng)商,以及全球知名半導體科研機構都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據首爾半導體行業(yè)
  • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  

3D NAND,1000層競爭加速!

  • 據國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應用物理學(xué)會(huì )春季會(huì )議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應用幾乎無(wú)處不在。而隨著(zhù)云計算、大數據以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠(chǎng)商之間的競爭便主要集中在芯
  • 關(guān)鍵字: 3D NAND  集邦咨詢(xún)  

是德科技:如何端到端仿真大規模 MIMO

  • 要集成 MIMO 基礎設施以便成功地與其他網(wǎng)絡(luò )設備進(jìn)行互操作,您需要重現真實(shí)場(chǎng)景,并在其中執行復雜測試。 使用端到端仿真的大規模 MIMO 測試,可以驗證全棧操作,以及對網(wǎng)絡(luò )流量加以妥善處理。 通過(guò)對 Open RAN 之類(lèi)分散網(wǎng)絡(luò )體系結構的網(wǎng)絡(luò )子系統進(jìn)行測試,您可以驗證用于 O-RAN 分布式單元(O-DU)的信號處理是否能夠處理實(shí)驗室測試系統中 O-RAN 無(wú)線(xiàn)單元(O-RU)和分布式用戶(hù)設備發(fā)出的 MIMO 信號。端到端大規模 MIMO 測試系統包含三大組件:一個(gè)是用戶(hù)設備仿真器,用于仿真多個(gè)用戶(hù)及
  • 關(guān)鍵字: 是德科技  端到端仿真  MIMO  

是德科技助力實(shí)現O-RAN大規模MIMO創(chuàng )新

  • ●? ?提供性能優(yōu)化解決方案,支持Intel PSG的大規模MIMO波束賦形技術(shù)●? ?通過(guò)驗證Intel PSG的大規模MIMO波束賦形技術(shù),加速O-RAN網(wǎng)絡(luò )架構的推廣應用是德科技助力實(shí)現O-RAN大規模MIMO創(chuàng )新是德科技為英特爾公司提供Open RAN Studio解決方案,幫助其開(kāi)發(fā)和驗證用于開(kāi)放式無(wú)線(xiàn)接入網(wǎng)(RAN)的大規模多路輸入多路輸出(mMIMO)波束賦形設計,推動(dòng)移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商加速采用 O-RAN 架構。O-RAN 網(wǎng)絡(luò )架構采用開(kāi)放接口和虛擬化技
  • 關(guān)鍵字: 是德科技  O-RAN  MIMO  

MIMO 雷達系統測試工具和技術(shù)

  • 多輸入多輸出 (MIMO) 等現代技術(shù)要求寬帶寬、相位一致和多通道分析。MIMO 雷達系統中的天線(xiàn)元獨立運行,可覆蓋較寬(通常為 180 度)的視場(chǎng),無(wú)需進(jìn)行定向調整。因此,掃描時(shí)間顯著(zhù)縮短。MIMO 雷達利用時(shí)間、頻率或編碼技術(shù),在接收器元素中對每個(gè)發(fā)射信號進(jìn)行區分,從而提取目標屬性。 寬帶示波器,例如泰克 DPO70000SX 或 MSO/DPO70000DX 系列示波器,專(zhuān)為實(shí)現寬帶寬和相位一致而設計,因此是一種理想的儀器。它支持中心頻率、頻譜寬度和分辨帶寬 (RBW) 等參數的獨立設置,與用于多通
  • 關(guān)鍵字: MIMO  雷達  測試  泰克  
共899條 1/60 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

3d-mimo介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d-mimo!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對3d-mimo的理解,并與今后在此搜索3d-mimo的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>