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12lp+finfet 文章 進(jìn)入12lp+finfet技術(shù)社區
格羅方德12LP+ FinFET解決方案針對AI進(jìn)行優(yōu)化
- 半導體代工廠(chǎng)格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進(jìn)的FinFET解決方案「12LP+」已通過(guò)技術(shù)驗證，目前準備投入生產(chǎn)。 格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對AI訓練以及推論應用進(jìn)行優(yōu)化。本解決方案建立于驗證過(guò)的平臺上，具有強大的制造生態(tài)系統，可為芯片設計師帶來(lái)高效能的開(kāi)發(fā)體驗，及快速的上市時(shí)間。 為達到性能、功耗和面積的組合，12LP+導入了若干新功能，包含更新后的標準組件庫、用于2.5D封裝的中介板，與一個(gè)低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內
- 關(guān)鍵字： 格羅方德 12LP+ FinFET AI
燧原科技推出搭載基于格芯12LP平臺的“邃思”芯片的人工智能訓練解決方案云燧T10
- 在燧原科技（燧原）發(fā)布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對數據中心培訓的高性能深度學(xué)習加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝技術(shù)，為云端人工智能訓練平臺提供高算力、高能效比的數據處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺擁有141億個(gè)晶體管，采用先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù)，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯(lián)。支持CNN/RNN等各種網(wǎng)絡(luò )模型和豐富的數據類(lèi)型
- 關(guān)鍵字： FinFET 2.5D
新思科技和臺積合作在其5納米 FinFET 強化版N5P制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)DesignWare IP核產(chǎn)品組合
- 臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術(shù)上開(kāi)發(fā)的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開(kāi)發(fā)的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優(yōu)化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技（Synopsys, In
- 關(guān)鍵字： 新思 臺積合 FinFET 強化版N5P
格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案
- 晶圓代工大廠(chǎng)格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠(chǎng)SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務(wù)，可加速人工智能（AI）應用上市時(shí)間。
- 關(guān)鍵字： 格芯 人工智慧應用 12LP+ FinFET
格芯擴展FinFET產(chǎn)品新特性為全面實(shí)現未來(lái)智能系統
- 格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導體代工廠(chǎng)，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無(wú)二的設計、開(kāi)發(fā)和制造服務(wù)。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術(shù)大會(huì )(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動(dòng)應用推出8SW RF SOI客戶(hù)端芯片后，格芯宣布計劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套新技術(shù)，這是公司加強差異化投資的全新側重點(diǎn)之一，功能豐富的半導體平臺為下一代計算應用提供具有競爭力的性能和可擴展性。新工藝技術(shù)旨在為快速增長(cháng)市場(chǎng)(如超大規模數據中心和自動(dòng)駕駛汽車(chē))應用提供更好的可擴展性和性
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
GF宣布將在既有14/12納米FinFET制程節點(diǎn)基礎上，向外擴展應用領(lǐng)域
- 自從28納米制程節點(diǎn)向下轉進(jìn)以來(lái)，就剩下四大晶圓代工廠(chǎng)商持續鞏固先進(jìn)制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠(chǎng)商轉進(jìn)16/14納米先進(jìn)制程過(guò)程中，又以GF歷經(jīng)最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權，更成功將該節點(diǎn)制程落實(shí)在自家晶圓廠(chǎng)。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產(chǎn)品的成功，均可說(shuō)是GF旗下晶圓廠(chǎng)14納米制程終于達到良率開(kāi)出順利，并且改善制程足以提供更明
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FinFET對動(dòng)態(tài)功耗的影響
- 現在主要的代工廠(chǎng)都在生產(chǎn)FinFET晶體管，這些FinFET以創(chuàng )紀錄的速度實(shí)現了從設計到現貨產(chǎn)品的轉變。FinFET的發(fā)展普及一直都比較穩定，因為與平面器件相
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中芯國際14納米FinFET制程開(kāi)始客戶(hù)導入，Q2營(yíng)收同比增長(cháng)18.6%
- 9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jì)。中芯國際第二季度銷(xiāo)售額為8.907億美元，與上一季度環(huán)比增長(cháng)7.2%，與去年同比增長(cháng)18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開(kāi)始進(jìn)入到客戶(hù)導入階段，可以預見(jiàn)量產(chǎn)目標已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產(chǎn)，對于中芯國際來(lái)說(shuō)將是一個(gè)歷史性的時(shí)刻。不僅可以確保其遙遙領(lǐng)先于國內的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠(chǎng)之間的距離?！ 「鶕行緡H財報，第二季度不含技術(shù)授權收入(授權收入)確認的銷(xiāo)售額為8.379億
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 14納米 FinFET
三星侵犯大學(xué)專(zhuān)利，賠償金或高達4億美元
- 近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項專(zhuān)利技術(shù)，需向后者支付賠償金或將高達4億美元?！ 私?，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專(zhuān)利技術(shù)。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開(kāi)發(fā)了這項技術(shù)，并否認侵犯了相關(guān)專(zhuān)利技術(shù)。三星還對這項專(zhuān)利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時(shí)，其對手英特爾公司開(kāi)始向這項技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開(kāi)始重視這個(gè)事件的嚴重性?！ ?/li>
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
12lp+finfet介紹
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